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該五年協議提高高需求寬禁帶材料的全球供應 GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor）宣布執行一項為期五年的協議，總價值可達5,000萬美元。根據該協議，GTAT將向安森美半導體生產和供應CrystX碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。 GTAT總裁兼首席執行官Greg Knight說：“我們很高興與安森美半導體合作，該公司是提供電力電子應用的先進半導體公認全球領袖之一。我們今天的協議有助于解決SiC作為電力電子應用首選半導體基板材料的陡峭增長軌跡。” 安森美半導體全球供應鏈高級副總裁Brent Wilson說：“安森美半導體在大批量晶圓生產的40年經驗結合GTAT在SiC晶體增長的專知及迅速發展，將創建一個強固、可擴展的供應鏈，支持活躍的大功率寬禁帶市場。我們很高興與GTAT合作，進一步開發SiC寬禁帶材料技術，并增強我們在這快速發展領域的領先地位。” 高增長應用如電動汽車（EV）牽引系統、混合動力和插電式EV、太陽能和能源存儲，以及EV充電等都需要并且依賴于高質量、具成本競爭力的SiC材料的穩定供應。安森美半導體將使用GTAT專有的150mm SiC晶體來制造SiC晶圓，以進一步加速成為SiC供應鏈中的垂直集成供應商，并維持其世界級的供應。該協議將促進領先業界的SiC的供應，以幫助工程師解決最獨特的設計挑戰。 |
