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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器 破局國(guó)際壟斷

發(fā)布時(shí)間:2020-1-20 10:24    發(fā)布者:eechina
來(lái)源:第一財(cái)經(jīng)

 作者: 來(lái)莎莎

  長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來(lái)了中國(guó)玩家。

  在面對(duì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國(guó)產(chǎn)NAND FLASH從無(wú)到有的八家主要合作伙伴時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說(shuō)道:“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說(shuō),比我在英特爾做CPU還要難。”

  而長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)、紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO趙偉國(guó)在現(xiàn)場(chǎng)也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一“中國(guó)半導(dǎo)體有史以來(lái)最大的項(xiàng)目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過(guò)程非常不容易。

  與此同時(shí),經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲(chǔ)器市場(chǎng)逐漸回暖,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠(chǎng)商將迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。

  “超出預(yù)期”

  存儲(chǔ)器約占全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的三分之一,市場(chǎng)高度集中。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)信息顯示,2019年第三季度,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾和SK海力士六家占據(jù)了全球99.3%的NAND Flash市場(chǎng)份額。

  不過(guò),楊士寧對(duì)自己的產(chǎn)品較為自信,“這是我們第一次全線(xiàn)推出Xtacking技術(shù),我們?cè)?4層這一代存儲(chǔ)密度達(dá)到了全球最優(yōu),和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手96層的產(chǎn)品差距在10%之內(nèi)。所以只要我們有規(guī)模,64層的產(chǎn)品還是可以有毛利的,現(xiàn)在主要的瓶頸在規(guī)模上。”

  Xtacking是閃存的一種創(chuàng)新架構(gòu),可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝,從而讓NAND能獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,Xtacking只需一個(gè)處理步驟即可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,合二為一。

  2019年9月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。目前,這一產(chǎn)品在市場(chǎng)上反饋良好。

  群聯(lián)電子已將長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一代32層閃存導(dǎo)入其國(guó)內(nèi)所有的產(chǎn)品,包括機(jī)頂盒、智能音箱、數(shù)碼電視等已經(jīng)在積極出貨,“證明產(chǎn)品沒(méi)有問(wèn)題,往后到第二代64層產(chǎn)品,我特別驚訝,因?yàn)榭吹絾?wèn)題比其他日系、韓系、美系企業(yè)的少,這些企業(yè)從第一代到第二代一直會(huì)有重復(fù)的問(wèn)題出現(xiàn)。”群聯(lián)電子董事長(zhǎng)兼CEO潘健成指出。

  對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量和定位,楊士寧強(qiáng)調(diào):“我們守住了產(chǎn)品質(zhì)量的底線(xiàn),大家現(xiàn)在知道長(zhǎng)江存儲(chǔ)出去的東西,不是最低端的、在地?cái)偵腺u(mài),我們至少要達(dá)到企業(yè)級(jí)規(guī)格。”

  除了技術(shù),生態(tài)是制約國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展的重要因素。電子產(chǎn)品只有進(jìn)入應(yīng)用不斷迭代才能不斷提高。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器要壯大自然也離不開(kāi)市場(chǎng)和生態(tài)。群聯(lián)長(zhǎng)期專(zhuān)注于閃存主控的開(kāi)發(fā)與存儲(chǔ)方案的整合,透過(guò)群聯(lián)自有技術(shù)與IP,整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存,協(xié)助擴(kuò)大市場(chǎng)的應(yīng)用與普及率。

  中國(guó)閃存市場(chǎng)指出,在2020年其他原廠(chǎng)縮減渠道供應(yīng)時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)若選擇切入渠道市場(chǎng)、補(bǔ)充供給,十分合理,也可以更好平衡全球閃存市場(chǎng)供應(yīng)格局。

  同時(shí),國(guó)內(nèi)供應(yīng)商可以提高本土供應(yīng)的時(shí)效性,后續(xù)的支持力度也會(huì)優(yōu)于海外廠(chǎng)商。“因?yàn)槭袌?chǎng)在中國(guó),為了縮短供應(yīng)鏈都放在國(guó)內(nèi)生產(chǎn),成本就降低了。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈包括封裝成長(zhǎng)都很快,所以可以在國(guó)內(nèi)生產(chǎn),國(guó)內(nèi)銷(xiāo)售。”江波龍電子董事長(zhǎng)蔡華波指出。

  市場(chǎng)回暖

  自2016年以來(lái)的存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)上漲曾讓三星打敗英特爾,成為全球最大的半導(dǎo)體廠(chǎng)商。到了2018年9月,存儲(chǔ)器開(kāi)始走下坡路。

  不過(guò),在2019年第三季度跌至低谷后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)又開(kāi)始回暖。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights 稱(chēng),2020年IC市場(chǎng)回暖,NAND FLASH2020年以19%的增長(zhǎng)率領(lǐng)漲。

  集邦資訊稱(chēng),2020年第一季NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲。基于淡季需求表現(xiàn)不淡,供給增長(zhǎng)保守以及供應(yīng)商庫(kù)存已下降,各類(lèi)產(chǎn)品合約價(jià)在2020年第一季均可望持續(xù)上漲。

  潘健成告訴記者,目前NAND FLASH供應(yīng)非常緊缺,“我創(chuàng)業(yè)十年以來(lái)第一次看到這么緊。因?yàn)?G元年來(lái)了,游戲機(jī)跑出來(lái)了,容量翻倍。2017、2018年(閃存)不賺錢(qián)、賠錢(qián),(廠(chǎng)商)擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作放慢了,將造成2020年整年緊張。可能2021年上半年稍微弱一點(diǎn),下半年又會(huì)好起來(lái)。”

  不過(guò),正如楊士寧提到的,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正面臨產(chǎn)能爬坡的挑戰(zhàn)。

  根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翊介紹,目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)有一座12英寸晶圓廠(chǎng),規(guī)劃滿(mǎn)產(chǎn)的產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)2020年底前產(chǎn)能將達(dá)5萬(wàn)~10萬(wàn)片/月,后續(xù)將根據(jù)市場(chǎng)情況進(jìn)一步擴(kuò)大。據(jù)第一財(cái)經(jīng)了解,目前產(chǎn)能約為2萬(wàn)片/月。

  據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹日前表示,將盡早達(dá)成64層3D閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片,并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能。

  龔翊披露,按計(jì)劃今年年底前集成長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的產(chǎn)品將逐步面市。首先是針對(duì)電子消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)的市場(chǎng),隨后將會(huì)針對(duì)PC和服務(wù)器提供SSD產(chǎn)品。其中,在固態(tài)閃存市場(chǎng)將會(huì)根據(jù)客戶(hù)需求,先后推出面向PC、服務(wù)器以及大數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品。

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)未披露目前的良率,不過(guò)楊士寧確認(rèn),下一代產(chǎn)品規(guī)劃將跳過(guò)96層,直接進(jìn)入128層3D NAND閃存研發(fā)。雖然完成了萬(wàn)里長(zhǎng)征第一步,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擔(dān)子依舊不輕。2020年,三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等國(guó)際主流廠(chǎng)商將全面進(jìn)入128層3D NAND,長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍需奮力追趕。

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