Vishay推出新型超薄SMF封裝TMBS整流器，節省空間且提高功率密度和能效

發布時間：2019-1-31 12:20 發布者：eechina

1 A至3 A器件反向電壓從45 V到150 V，正向壓降為0.36 V

Vishay推出15款采用eSMP系列超薄SMF (DO-219AB)封裝新型1 A、2 A和3 A器件，擴充其表面貼裝TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器產品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封裝整流器節省空間，反向電壓從45 V到150 V，3 A電流等級達到業內SMF封裝器件最高水平。

目前，3 A電流等級肖特基整流器一般采用SMA封裝。日前發布的器件采用更薄的SMF 封裝，具有高正向電流的同時增加功率密度。器件封裝尺寸 3.7 mm x 1.8 mm，高度降低至0.98 mm, 比SMA封裝薄46%，電路板占位空間減少49%。

1 A、2 A和3 A器件正向壓降分別為0.36 V、0.40 V和0.43 V，可降低續流二極管和極性保護二極管功耗，提高效率。應用于商業和工業用高頻逆變器、DC/DC轉換器等，器件還提供AEC-Q101認證版本，可用于汽車應用。

新整流器最高工作結溫達+175 °C，MSL潮濕敏感度等級達到 J-STD-020 的1級，LF最高峰值為+260 °C。器件適用于自動貼片工藝要求，符合RoHS標準，無鹵素。

器件規格表:

器件型號	IF(AV) (A)	VRRM (V)	IFSM (A)	IF和TJ條件下VF			最大TJ (°C)
器件型號	IF(AV) (A)	VRRM (V)	IFSM (A)	VF (V)	IF (A)	TA (°C)	最大TJ (°C)
V1FL45	1	45	30	0.36	1	125	150
V1F6	1	60	30	0.45	1	125	150
V1FM10	1	100	30	0.59	1	125	175
V1FM12	1	120	30	0.61	1	125	175
V1FM15	1	150	30	0.64	1	125	175
V2FL45	2	45	40	0.4	2	125	150
V2F6	2	60	50	0.45	2	125	150
V2FM10	2	100	40	0.62	2	125	175
V2FM12	2	120	40	0.65	2	125	175
V2FM15	2	150	40	0.69	2	125	175
V3FL45	3	45	50	0.43	3	125	150
V3F6	3	60	60	0.49	3	125	150
V3FM10	3	100	55	0.62	3	125	175
V3FM12	3	120	60	0.64	3	125	175
V3FM15	3	150	40	0.66	3	125	175

新款TMBS整流器現可提供樣品并已實現量產，大宗訂貨供貨周期為12周。關于上表器件型號的更多信息，請訪問www.vishay.com/doc?48477。

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