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功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)（如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車）應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性能。 在當(dāng)今數(shù)據(jù)密集的世界，對(duì)高性能芯片的需求永無(wú)止境，以處理和分析互連設(shè)備產(chǎn)生的信息流。格芯的FinFET產(chǎn)品是為最嚴(yán)苛的計(jì)算應(yīng)用提供高性能、高功效的片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)的理想平臺(tái)。 通過(guò)提供針對(duì)超高性能和增強(qiáng)型射頻連接進(jìn)行了優(yōu)化的晶體管改進(jìn)以及采用針對(duì)新興企業(yè)和云安全需求的新型高速、高密度存儲(chǔ)器，新平臺(tái)將改善功耗、性能和可擴(kuò)展性等性能。 格芯業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Bami Bastani博士表示：“我們致力于增強(qiáng)發(fā)展差異化產(chǎn)品，幫助客戶從每一代技術(shù)投資中獲得更多價(jià)值。通過(guò)在FinFET產(chǎn)品中引入這些新特性，我們將提供強(qiáng)大的技術(shù)改進(jìn)，使客戶能夠?yàn)橄乱淮悄芟到y(tǒng)擴(kuò)展性能并創(chuàng)造創(chuàng)新產(chǎn)品。” 格芯的14/12nm FinFET平臺(tái)提供先進(jìn)的性能和低功耗，具有顯著的成本優(yōu)勢(shì)。平臺(tái)添加了豐富的增強(qiáng)功能包括： • 超高密度：通過(guò)持續(xù)改進(jìn)12LP設(shè)計(jì)庫(kù)(7.5T)，并結(jié)合SRAM和先進(jìn)的模擬技術(shù)，在更小的芯片區(qū)域內(nèi)提供更高的晶體管密度，以支持客戶的內(nèi)核計(jì)算、連接和存儲(chǔ)應(yīng)用，以及移動(dòng)和消費(fèi)電子終端。 • 性能提升：通過(guò)將SRAM Vmin降低100mV、待機(jī)漏電流降低約50％以提高性能，從而為現(xiàn)有應(yīng)用和新興應(yīng)用（如機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能）提升性能。 • 射頻/模擬：提供全套無(wú)源器件、超厚金屬和LDMOS選項(xiàng)，可面向含有較高數(shù)字內(nèi)容的6GHz以下的RF SoC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的射頻性能（Ft/Fmax可達(dá)340GHz）。 • 嵌入式存儲(chǔ)器：為新興企業(yè)、云和通信應(yīng)用提供超高安全性以及一次性可編程(OTP)和多次可編程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)內(nèi)存。使用物理上無(wú)法檢測(cè)的電荷捕獲技術(shù)(CTT)實(shí)現(xiàn)安全解決方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存儲(chǔ)器，以實(shí)現(xiàn)更高的SoC集成度。格芯的CTT解決方案無(wú)需額外的處理或屏蔽步驟，與基于介電熔絲技術(shù)的類似OTP解決方案相比，可提供雙倍密度。 與28nm技術(shù)相比，格芯的14LPP技術(shù)可將器件性能提高55％，總功耗降低60％；而與當(dāng)今市場(chǎng)上的16/14nm FinFET解決方案相比，格芯的12LP技術(shù)可將電路密度提高15％，性能提升10％以上。格芯前沿的FinFET平臺(tái)自2016年初起已投入大規(guī)模生產(chǎn)，并符合汽車2級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 |
