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IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列 可將DC-DC開關應用效率提升2%

發布時間:2011-2-14 15:55    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: 功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技術,可為 12V輸入同步降壓應用提供最佳效率,這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。

IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件減少了導通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ,通過把DC-DC轉換器的開關損耗降至最低來進一步提高效率。



IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷,將傳導和開關損耗降到最低。IRF6894還設有集成式單片肖特基二極管,可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET與上一代器件的占位面積兼容。

產品規格

  器件編號

  
  
BVDSS (V)
  
  
10V時的
  
典型導通電阻(mΩ)
  
  
4.5V時的
  
典型導通電阻(mΩ)
  
  
VGS (V)
  
  
典型QG
(nC)

  
  
典型QGD (nC)
  
  
概要代碼
  
  
IRF6811SPBF
  
  
25
  
  
2.8
  
  
4.1
  
  
+/-16
  
  
11
  
  
4.2
  
  
SQ
  
  
IRF6894MPBF
  
  
25
  
  
0.9
  
  
1.3
  
  
+/-16
  
  
29
  
  
10
  
  
MX
  
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