|
來源：新華社 總投資240億美元的國家存儲器基地項目(一期)的一號生產及動力廠房9月28日實現提前封頂，預計2018年投入使用。全面建成后，該項目年產值將超過100億美元。 國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，一期工程于2016年12月30日正式開工建設，規劃3座全球單座潔凈面積最大的廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。 國家存儲器基地項目是新中國成立以來湖北省單體投資最大的高科技產業項目，項目一期達產后，預計可實現月產能30萬片12寸晶圓，年產值將超過100億美元，到2030年月產能提升至100萬片。 據介紹，存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是中國進口金額最大的集成電路產品。國家存儲器項目落戶武漢，填補了此前國內集成電路產業的一塊空白。 目前，武漢東湖高新區已為國家存儲器基地項目規劃建設1100畝配套產業園區和1500畝國際社區用地，正在加快引進產業鏈頂級配套企業和國際化人才。同時加快建設武漢國際微電子學院，組建長江芯片研究院、國家先進存儲產業創新中心、存儲芯片聯盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產業創新中心。 |
