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來源：全球半導(dǎo)體觀察 國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司于4月9日申請公布一項名為“存儲器、電子設(shè)備”的專利，公布號為CN117858494A。 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是一種基于觸發(fā)器邏輯電路的半導(dǎo)體存儲器。只要處于上電狀態(tài)，SRAM中寫入的信息就不會消失，不需要刷新電路。傳統(tǒng)的硅(Si)基SRAM包括6個金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)品體管。 在計算機存儲體系結(jié)構(gòu)中，SRAM的存儲速度較快，主要用于高速緩存，一般集成在中央處理器(CPU)中。隨著計算機性能的不斷提升，SRAM作為數(shù)據(jù)交換的重要媒介，在CPU中所占的面積越來越大，導(dǎo)致功耗、性能、面積和成本發(fā)生嚴重的退化。 為此，學(xué)界和業(yè)界都提出利用3D堆疊的方式，在不斷改進芯片工藝的同時，提高芯片的面積利用率。SRAM相對于其他邏輯計算單元，是一個相對獨立的模塊，利用后道工藝或疊層工藝更容易將SRAM與邏輯器件進行3D集成。 然而，對于傳統(tǒng)的硅基SRAM來說，采用BEOL工藝或看層工藝的實現(xiàn)3D集成的難度非常大，對工藝溫度的要求也很高。雖然，氧化物半導(dǎo)體具有可堆疊和低溫工藝的優(yōu)勢，但氧化物半導(dǎo)體為單極性溝道材料，應(yīng)用于SRAM中，會使SRAM的電路設(shè)計更加復(fù)雜，導(dǎo)致SRAM內(nèi)的器件(例如晶體管)以及器件間連接走線占用的面積隨之增大。 專利摘要顯示，華為本次申請實施例提供一種存儲器、電子設(shè)備，涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，用于在實現(xiàn)單極性存儲器的同時，提高存儲器的面積利用率。該存儲器包括第一電路結(jié)構(gòu)層、第二電路結(jié)構(gòu)層和多個互連結(jié)構(gòu)。 第一電路結(jié)構(gòu)層包括第一反相器。第二電路結(jié)構(gòu)層包括第二反相器。第一反相器的多個品體管和第二反相器的多個品體管極性相同。第反相器的多個品體管,及第二反相器的多個品體管均沿平行于參考面的第一方向依次排列。第一反相器的多個品體管在參考面上的正投影與第反相器的多個品體管在參考面上正投影交疊:且第一反相器和第二反相器通過多個互連結(jié)構(gòu)電連接。上述存儲器應(yīng)用于電子設(shè)備中，以提高電子設(shè)備的存儲能力。 |
