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基于magnum II測試系統的MRAM VDMR8M32測試技術研究

發布時間:2017-8-28 16:53    發布者:eechina
關鍵詞: magnum , VDMR8M32 , MRAM , APG
作者:張水蘋,王烈洋,占連樣,陳像,湯凡,王鑫,黃小琥,李光

摘要:  VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發的一種高速、大容量的TTL同步靜態存儲器(MRAM),可利用其對大容量數據進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理,其次詳細闡述了基于magnum II測試系統的測試技術研究,提出了采用magnum II測試系統的APG及其他模塊實現對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試,全空間讀寫數據1,以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外,針對MRAM的關鍵時序參數,如TAVQV(地址有效到數據有效的時間)、TELQV(片選使能到數據有效的時間)、TGLQV(輸出使能到輸出數據有效的時間)等,使用測試系統為器件施加適當的控制激勵,完成MRAM的時序配合,從而達到器件性能的測試要求。

關鍵詞:magnum II,VDMR8M32,MRAM ,APG

1.        引言

MRAM靜態隨機存取存儲器是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路技能保存它內部存儲的數據。它的主要優點是速度快,不必配備刷新電路,可提高整體的工作效率。集成度低,功耗大,相同容量的體積較大,而且價格較高。但在串行低速數據到并行高速數據轉換的過程中,存儲器起的是數據緩沖作用。為了的到更高的傳輸速度和更大的傳輸容量,需要更高的速度和更大容量的存儲器。VDMR8M32是珠海歐比特公司研制出的一種高速、大容量的TTL同步靜態存儲器,其容量為256k×32bit,同時具有設計簡單,應用靈活等特點。

2.        VDMR8M32芯片介紹

2.1        VDMR8M32的結構

VDMR8M32是一款高集成度的靜態隨機存取存儲器,其總含有8M bits。由于此芯片里面包含2個片選,具體的原理框圖見圖1。這種結構不但大大的擴充了存儲器的容量和數據位寬,而且還可以在應用時大量節省了PCB板的使用空間。從圖1可以看出,每個片選控制了32位的數據總線。圖2為VDMR8M32中的Block的結構框圖,它主要由控制邏輯、存儲整列等組成。

VDMR8M32的主要特性如下:

總容量:8M bit;
數據寬度為32位;
快達35ns的讀寫周期;
完全靜態操作,無需刷新;
兼容SRAM時序;
采用3.3V電源供電。
無限次讀寫;
數據保存大于20年;
掉電自動數據保護。


圖1 VDMR8M32原理框圖


圖2 VDMR8M32內部Block的結構框圖

2.2        VDMR8M32的引腳說明

VDMR8M32芯片采用的是SOP封裝工藝,整塊芯片表面鍍金,這樣可以大幅度增強了芯片的抗干擾和抗輻射的能力,有利于該芯片能應用于航空航天等惡劣的環境。

VDMR8M32芯片各引腳分布見下圖3所示,各引腳的功能說明如下:

VCC:+3.3V電源輸入端。濾波的旁路電容應盡可能靠近電源引腳, 并直接連接到地;
VSS:接地引腳;
A0~A16:地址同步輸入端;
#W:此端為低時寫入,為高時寫無效,數據有效發生在相應地址有效之后的兩個周期;
#G:輸出使能, 數據讀取時需置為低,寫時置為低;
#CEn:低電平有效時選中該片;
DQ0~DQ31:數據輸入/輸出腳。


圖3 VDMR8M32引腳分布圖

2.3        VDMR8M32的功能操作

表1 器件功能真值表
#CEn#G#W模式VDD電流DQ[7:0]
HXX未選中ISB1, ISB2高阻態
LHH輸出禁止IDDR高阻態
LLH讀字節IDDRDOUT
LXL寫字節IDDWDIN

注:“H”代表高電平,“L”代表低電平,“X”代表可以是任何狀態

3.        VDMR8M32的電特性

VDMR8M32電特性見表2:

表2:模塊電特性
電性 技術參數符號測試條件(除另有規定外,VDD=3.3V)最小值最大值單位允許
指標漂移
靜態輸入漏電電流ILILVDD=3.6V,VIN=0.0V-88uA±1uA
指標ILIHVDD=3.6V,VIN=3.6V-88uA±1uA
(A1、A2、A3)輸出漏電電流ILOLVDD=3.6V,VOUT=0.0V-88uA±1uA
 ILOHVDD=3.6V,VOUT =3.6V-88uA±1uA
 休眠電流(AC)ISB1VDD=3.6V,#E = VIH——60mA±10%
 休眠電流(CMOSISB2#E≥VDD-0.2V and——50mA±20mA
 VIH≤VSS+0.2V or
 ≥VDD-0.2V (VDD=3.6V,f=0MHz)
 讀模式動態電流IDDRIOUT=0mA, VDD =3.6V——170mA±10%
 周期為35ns
 寫模式動態電流IDDWVDD =3.6V,周期為35ns——330mA±10%
 輸出低電平VOLIOL= +4mA——0.4V±100mV
 輸出高電平VOHIOL= -4mA2.4——V±100mV
開關  指標地址有效到數據有效的時間tAVQVVDD=3.3V——40ns±10%
(A9、A10、A11)VIL=0.4V,VIH=2.4V
 VOL=1.4V,VOH=1.4V
 片選使能到數據有效的時間tELQVIOL= 4mA,——40ns±10%
 輸出使能到輸出數據有效的時間tGLQVIOH= -4mA——20ns±10%

表3:AC特性
技術參數符號最小值最大值單位
讀周期時間tAVAV35-ns
地址有效到數據有效的時間tAVQV-35ns
片選使能到數據有效的時間tELQV-35ns
輸出使能到輸出數據有效的時間tGLQV-15ns
地址變化時數據輸出維持時間tAXQX3-ns
片選輸出使能到輸出激活時間tELQX3-ns
輸出使能低到輸出激活時間tGLQX0-ns
片選使能高到輸出高組態時間tEHQZ015ns
輸出使能高到高阻態時間tGHQZ010ns

4.        VDMR8M32的測試方案

在本案例中,我們選用了Teradyne公司的magnum II測試系統對VDMR8M32進行全面的性能和功能評價。該器件的測試思路為典型的數字電路測試方法,即存儲陣列的讀寫功能測試及各項電特性參數測試。

4.1        magnum II測試系統簡介

Magnum II測試系統是上海Teradyne公司生產的存儲器自動測試機,它由主機和測試底架組成,每個測試底架包含5個網站裝配板(Site  Assembly Board),每個裝配板有128組測試通道,可用來連接DUT(Device Under Test)的管腳,5個裝配板之間完全相互獨立,故可以聯合多個裝配板測試管腳數更多的產品。除了與主機通信的裝配板外,測試底架還包括系統電源供給、電源監控板、冷卻風扇、以太網集線器和測試板鎖定裝置。使用Magnum II測試系統時,通過主機編程的方式配置各裝配板,再由各裝配板對DUT進行一系列向量測試,最終在主機的UI界面打印出測試結果。

Magnum II測試系統有著強大的算法模塊APG(Algorithmic Pattern Generator),可生成各種檢驗程序,即測試pattern,如棋盤格測試程序,反棋盤格測試程序,全空間全1測試,全空間全0測試,讀寫累加數測試,讀寫隨機數測試,對角線測試等,采用這些測試向量可以對器件進行較為全面的功能檢測。

4.2        采用Magnum II測試系統的測試方案設計

1)硬件設計

按照magnum II測試系統的測試通道配置規則,繪制VDMR8M32的測試轉接板,要對器件速率、工作電流、抗干擾等相關因素進行綜合考量。

2)軟件設計

考慮到使用該模塊為器件提供需要施加激勵信號的特殊性,我們采用了magnum II系統的特殊編程語言和C++編程語言,在VC++環境中調試測試程序,來完成相應的控制操作。具體實施步驟如下:

A、按照magnum II的標準編程方法,先完成對VDMR8M32的Pin Assignments 定義,Pin Scramble定義,Pin Electronics,Time Sets等的設置。

B、確定Sequence Table Execution Order,編輯每一組測試項,即Test Block, Test Block 里面需要包含Pin Electronics,Time Sets,funtest()函數,funtest()函數中就會使用到pattern。

C、編輯pattern使用的是magnum II測試系統的特殊編程語言,運用APG中各模塊的功能編輯所需要的算法指令,編譯生成object code。

4.3        VDMR8M32的功能測試

針對MRAM等存儲單元陣列的各類故障模型,如陣列中一個或多個單元的一位或多位固定為0或固定為1故障(Stuck at 0 or 1 fault)、陣列中一個或多個單元固定開路故障(Stuck open fault)、狀態轉換故障(Transition fault)、數據保持故障(Data maintaining fault)、狀態耦合故障(Coupling fault)等,有相應的多種算法用于對各種故障類型加以測試,本文采用,全0、全1,棋盤格、反棋盤格,累加,隨機數的測試算法。

1)APG簡介

APG即為Algorithmic Pattern Generator(算法模式生成器)模塊的簡稱,它實則為一臺電腦,用特殊的編程語言和編譯器生成目標代碼供測試系統使用,APG主要由兩個地址生成器(XALU和YALU)、一個數據生成器(Data Generator)、一個時鐘選擇信號生成器(Chip Select)組成。

一組地址生成器最多可編輯24位地址長度,結合兩個地址生成器可產生一系列的地址算法,如單個地址的遞增(increment)、遞減(decrement)、輸出全為1(all 1s)、輸出全為0(zeros)等操作,兩個地址的關聯操作有相加(add)、相減(subtract)、或運算(or)、與運算(and)、異或(xor)運算等,運用這些地址算法可以非常靈活地尋址到器件的任一一個存儲單元,以滿足各種測試需求。

數據生成器最多可編輯36位數據長度,其功能除了有相加(add)、相減(subtract)、或運算(or)、與運算(and)、異或(xor)運算等以外,還可以與地址生成的背景函數(bckfen)配合使用,以生成需要的數據,如當地址為奇數是生成0x55的數據,當地址為偶數時生成0xaa的數據等等。

時鐘信號生成器最多可編輯18個片選通道,并且可產生4種不同的波形,即脈沖有效,脈沖無效,電平有效,電平無效。
除以上四個模塊外,APG還包括管腳定義模塊(pinfunc),計數器(count),APG控制器(mar)等,使用magnum II特殊的編程語言并運用這些模塊的功能編輯出所需要的算法指令,便可以對器件進行功能測試。

4.4         VDMR8M32的電性能測試

針對MRAM類存儲器件,其電性測試內容主要有管腳連通性測試(continuity)、管腳漏電流測試(leakage),電源管腳靜態電流測試(isb)、電源管腳動態電流測試(IDDR/IDDW)、輸出高/低電平測試(voh/vol),時序參數測試(TAVQV、TGLQV、TELQV)。

1)        PMU簡介

PMU即為Parametric Measurement Unit,可以將其想像為一個電壓表,它可以連接到任一個器件管腳上,并通過force電流去測量電壓或force電壓去測量電流來完成參數測量工作。當PMU設置為force 電流模式時,在電流上升或下降時,一旦達到系統規定的值,PMU Buffer就開始工作,即可輸出通過force電流測得的電壓值。同理,當PMU設置為force 電壓模式時, PMU Buffer會驅動一個電平,這時便可測得相應的電流值。MRAM 器件的管腳連通性測試(continuity)、漏電流測試(leakage)、voh/vol測試均采用這樣的方法進行。

2)        mr8m32的靜態電流測試(isb)、動態電流測試(IDDR/IDDW)、時序參數測試(TAVQV、TGLQV、TELQV)
VDMR8M32的靜態電流測試不需要測試pattern,而動態電流測試需要測試pattern,使用的電流抓取函數分別是test_supply()和ac_test_supply(),需要注意的是測試靜態電流時器件的片選控制信號需置成vcc狀態,測試動態電流時負載電流(ioh/iol)需設為0ma。

對時序參數進行測試時, pattern測試是必不可少的。采用逐次逼近法進行,可以固定控制信號的時序,改變data strobe的時序來捉取第一次數據輸出的時間;也可以固定data strobe的時序,改變控制信號的第一次有效沿的時間,與data strobe的時序做差運算即可得到器件的最快反應時間。

下圖是VDMR8M32測試程序編輯完成并經編譯無誤的結果。



參考文獻:

[1] Neamen,D.A.電子電路分析與設計——模擬電子技術[M]。清華大學出版社。2009:118-167.
[2] 珠海歐比特控制工程股份有限公司. VDMR8M32使用說明書[Z]. 2013.

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