臺積電重返內存市場，是否引爆內存產業的新潮流【硬之城電子元器件】

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晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及到內存市場。臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRA和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產業的新潮流，值得密切關注。

臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內存）和eRRAM（嵌入式電阻式內存）分別訂明后年進行風險性試產，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯網、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四項領域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。

這也是臺積電共同執行魏哲家向法人表達不會跨足標準型內存，不會角逐東芝分割成立半導體公司股份后，臺積電再次說明內存的戰策布局，將瞄準效能比一般DRAM和儲存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發表該公司所研發的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內存產品的內存廠，產品技術時程大幅領先臺積電，三星MRAM并獲恩智浦導入。

據了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等地世代內存研發，多年來困難度高，商業化和競爭力遠不如MRAM，導致多家廠商都僅限于研發。

內存者表示，世代內存中，投入研發的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內存（PRAM）等三大次世代內存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產的內存類型。

不過，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無人車、AI人工智能、高階智能型手機和物聯網等要求快速演算等功能，是臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關嵌入及整合其他異質芯片技術，進行商業化量產。