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超低電容晶閘管浪涌保護器件(安森美)

發布時間:2009-9-25 10:10    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: 安森 , 電容 , 晶閘管 , 浪涌 , 器件
NP-MC系列為高速電信設備設計人員提升性能、成本及節省空間優勢

安森美半導體推出新的超低電容晶閘管浪涌保護器件(TSPD)——NP-MC系列,保護敏感的電子設備免受瞬態過壓情況下的影響。NP-MC系列器件的電容值比市場上現有產品低40%至50%,以極低的信號失真保護高速xDSL、T1/E1及其它寬帶數據傳輸設備。



安森美半導體的新TSPD系列提供完整范圍的工業標準電壓電平及從50安培(A)到200 A的浪涌額定電流,為數字用戶線路接入復用器(DSLAM)、光纖接入網絡(FTTx)、以太網、以太網供電(PoE)及語音IP(VoIP)系統提供保護方案。這系列器件的低額定關態電容轉化為極低的差分電容,為外施(applied)電壓或頻率提供極佳的線性度。NP-MC系列的同類領先規范還包括低泄漏電流、精確的導通電壓、低電壓過沖以及高浪涌電流能力。

這些新的雙向表面貼裝器件幫助設計人員符合各種業界規范標準,如GR-1089-CORE、ITU-T-K.20/K.21/K.45及IEC 60950。NP-MC無鉛器件系列采用小型2.6 x 4.3 mm表面貼裝(SMB)封裝,為當今的高速有線通信網絡提供節省空間及高性價比的方案。NP-MC系列器件每10,000片批量的預算單價介于0.12美元至0.25美元。
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