25/30V高性能PQFN封裝工業負載點功率MOSFET（IR）

發布時間：2010-11-21 17:55 發布者：嵌入式公社

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列為工業負載點應用提供高密度解決方案

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產技術改進的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導率并提高了可靠性，且符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。

這一高性能PQFN封裝技術也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標準PQFN 5 x 6 器件相比，在設計要求更多電流時無需增加額外占位面積。

該系列產品包括用作控制MOSFET的優化器件，具有低柵極導通電阻 (Rg) ，以減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復時間，以提高效率和EMI性能。

新器件的高度小于1 mm，與現有表面貼裝技術兼容，并擁有行業標準引腳，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

產品規格

器件編號	封裝	BVDSS (V)	最大VGS (V)	在10V下典型/最大RDSon (mΩ)	在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ)	在4.5V下典型Qg (nC)	額外芯片功能
IRFHM831	PQFN 3x3	30V	±20V	6.6 / 7.8	10.7 / 12.6	7.3	低Rg
IRFHM830D	PQFN 3x3	30V	±20V	3.4 / 4.3	5.7 / 7.1	13	FETky
IRFHM830	PQFN 3x3	30V	±20V	3.0 / 3.8	4.8 / 6.0	15
IRFH5303	PQFN 5x6	30V	±20V	3.6 / 4.2	5.7 / 6.8	15	低Rg
IRFH5304	PQFN 5x6	30V	±20V	3.8 / 4.5	5.8 / 6.8	16
IRFH5306	PQFN 5x6	30V	±20V	6.9 / 8.1	11.0 / 13.3	7.8
IRFH5255	PQFN 5x6	25V	±20V	5.0 / 6.0	8.8 / 10.9	7.0	低Rg
IRFH5250D	PQFN 5x6	25V	±20V	1.0 / 1.4	1.7 / 2.2	39	FETky

新系列已接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選擇工具可通過 IR 網站 www.irf.com供應。

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