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IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列為工業負載點應用提供高密度解決方案 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。 IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產技術改進的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導率并提高了可靠性，且符合工業標準及MSL1濕度敏感性測試。 
這一高性能PQFN封裝技術也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標準PQFN 5 x 6 器件相比，在設計要求更多電流時無需增加額外占位面積。 該系列產品包括用作控制MOSFET的優化器件，具有低柵極導通電阻 (Rg) ，以減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復時間，以提高效率和EMI性能。 新器件的高度小于1 mm，與現有表面貼裝技術兼容，并擁有行業標準引腳，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。 產品規格
新系列已接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選擇工具可通過 IR 網站 www.irf.com供應。 |
