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肖時(shí)江
在嵌入式系統(tǒng)中,用的最多的非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)器是EEPROM和FLASH,主要用于保存程序或數(shù)據(jù),但這兩種存儲(chǔ)器有一個(gè)共同的缺點(diǎn)是寫入速度慢,且寫入算法比較復(fù)雜,無法滿足實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)中高速寫入的要求,例如,在一個(gè)實(shí)時(shí)紅外圖像處理系統(tǒng)中,每個(gè)像素的校正參數(shù)有時(shí)需要實(shí)時(shí)修改,掉電后不能丟失,就必須使用高速、大容量的非易失性SRAM來保存。非易失性SRAM的特點(diǎn)是:讀寫操作簡單(與普通SRAM一樣)、速度快(ns 級)、掉電后數(shù)據(jù)不丟失。
目前,比較常用的大容量高速非易失性SRAM有如下幾種:
1、BBSRAM(Battery-Backup SRAM),即內(nèi)帶電池保護(hù)的SRAM,其結(jié)構(gòu)為:SRAM+鋰電池+監(jiān)控保護(hù)電路,有些還內(nèi)帶RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)。美國Dallas(現(xiàn)為Maxim)公司是BBSRAM的發(fā)明者,產(chǎn)品型號也很多,其中大容量的有:DS1265W(1Mx8)、DS1270W(2Mx8)。BBSRAM上世紀(jì)九十年代初就已推廣到國內(nèi),目前已比較流行,國內(nèi)也有幾家公司生產(chǎn)BBSRAM,例如成都國騰的GM系列,其GM2016(1Mx8)、GM2107(2Mx8)與 Dallas的完全兼容。BBSRAM一個(gè)很明顯的缺點(diǎn)是體積較大(因內(nèi)置電池),且都是DIP封裝的。
2、NVSRAM,是一種雙體結(jié)構(gòu)的非易失性SRAM,這種存儲(chǔ)器內(nèi)部包含兩個(gè)存儲(chǔ)體:一個(gè)是供用戶讀寫的普通SRAM,另一個(gè)是與SRAM容量相同、供數(shù)據(jù)備份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作狀態(tài)下,微處理器訪問NVSRAM時(shí),所操作的是SRAM,只有在電源斷電時(shí),芯片自動(dòng)把SRAM中的內(nèi)容快速備份到 EEPROM(或Quantum Trap)中,使內(nèi)容不會(huì)丟失;在下次加電時(shí),它又把EEPROM中保留的備份內(nèi)容自動(dòng)恢復(fù)到SRAM中。大容量NVSRAM比較典型的有Cypress 的CY14B104(512Kx8/256Kx16)、CY14B108(1Mx8/512Kx16),讀寫周期高達(dá)20ns。這種芯片有一個(gè)小小缺陷是必須外接一只大容量的電容,用于掉電備份數(shù)據(jù)時(shí)緩沖電源供電。此外,在國內(nèi)市場不易買的。
3、FRAM,即“鐵電存儲(chǔ)器”。其核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有RAM和ROM的特性。晶陣中的每個(gè)自由浮動(dòng)的原子只有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài),一個(gè)用來記憶邏輯“0”,另一個(gè)用來記憶邏輯“1”。數(shù)據(jù)狀態(tài)可保持100年以上。FRAM產(chǎn)品具備一系列超級特性。比如,高速隨機(jī)讀寫(存取時(shí)間只有55ns)、超低功耗(只有EEPROM的1/2500)和幾乎無限次的讀寫周期(可達(dá)10的14方次)。RAMTRON公司是FRAM的發(fā)明和生產(chǎn)者,目前面市的大容量型號有;FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16(512Kx8/256Kx16)。與 NVSRAM不同,F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)寫入與備份是同步進(jìn)行的,因此也不存在恢復(fù)操作。
4、MRAM,即“磁阻RAM”,是Freescale公司的專利產(chǎn)品,采用磁隧道結(jié)(MTJ)結(jié)構(gòu)來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。目前的產(chǎn)品型號有:MR0A16~MR2A16,容量為:128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16,讀寫周期為35 ns。與FRAM一樣,MRAM也不需要備份和恢復(fù)。 |
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