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來源：semiengineering 在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中,模擬技術(shù)更多地用來處理對(duì)它們不利的過程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變。 我們生活在一個(gè)模擬世界中,但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)。混合信號(hào)解決方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù),只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理,這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中,在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過程。 模擬技術(shù)衰落有幾個(gè)原因,其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小,這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大,反而器件尺寸越小,模擬器件特性往往越差。器件的小型化一直是這個(gè)世界技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵,在這一點(diǎn)上模擬技術(shù)不能跟上時(shí)代,漸漸被遺忘了。 工藝技術(shù)已經(jīng)針對(duì)數(shù)字化進(jìn)行了優(yōu)化,這并不奇怪,但這對(duì)剩下的模擬元件造成越來越大的壓力。產(chǎn)品生命周期中的制造工藝變化和參數(shù)退化在模擬世界中更具挑戰(zhàn)性。這意味著模擬元件需要比數(shù)字元件更多的分析和巧妙的設(shè)計(jì)。 模擬技術(shù)仍然被認(rèn)為是一種藝術(shù),而且自動(dòng)化并沒有以數(shù)字方式遷移到工具中,這意味著模擬生產(chǎn)力繼續(xù)下降。我們正在發(fā)現(xiàn)在芯片中,即使是非預(yù)期的模擬內(nèi)容也占據(jù)了SoC表面積很大的一部分,而且模擬器件的設(shè)計(jì)需要很長(zhǎng)時(shí)間,也要承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)。 諷刺的是,隨著數(shù)字設(shè)備越來越小,芯片越來越大,SoC設(shè)計(jì)的幾個(gè)方面開始看起來更像是模擬問題。時(shí)鐘和功率分配正在迅速成為模擬問題。芯片依賴于PHY電路移動(dòng)圍繞系統(tǒng)移動(dòng)數(shù)據(jù),這些是模擬電路的特點(diǎn)。 對(duì)于不能兼容模擬內(nèi)容的芯片(基本上也就意味著所有芯片),上述幾個(gè)方面僅僅是為什么摩爾定律無法實(shí)現(xiàn)芯片總面積、功率、性能提升的部分原因,缺乏對(duì)模擬信號(hào)和器件的關(guān)注,這是數(shù)字芯片現(xiàn)在付出代價(jià)的原因。 業(yè)界對(duì)這一趨勢(shì)沒有任何論據(jù)。Morton CTO首席技術(shù)官Oliver King表示:“領(lǐng)先的高級(jí)工藝非常適用于邏輯密度和性能設(shè)計(jì),因此模擬電路必須遵守設(shè)計(jì)規(guī)則所帶來的限制。同樣的情況是,這些過程的建模并沒有針對(duì)模擬設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化�！� 西門子商業(yè)顧問公司的產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理杰夫·米勒補(bǔ)充說:“小功能尺寸的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)確實(shí)可以滿足大規(guī)模數(shù)字邏輯的需求。低電壓、低功耗和地成為的邏輯晶體管是促進(jìn)摩爾定理繼續(xù)想數(shù)字方向發(fā)展的關(guān)鍵因素。然而,對(duì)于模擬設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)來說,將其用于越來越小的特征尺寸的好處并不能轉(zhuǎn)化。雖然在16nm及以下確實(shí)有很多模擬設(shè)計(jì)正在使用finFET和多模式化的工藝節(jié)點(diǎn),但這通常是允許大數(shù)字和模擬(元件)在同一個(gè)芯片(die)上共存。” 工藝技術(shù) 有跡象表明,隨著摩爾定律的放緩,這種情況可能會(huì)發(fā)生變化。Synopsys的TCAD產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Ric Borges說:“創(chuàng)造工藝設(shè)計(jì)的公司有它們自己關(guān)注的三個(gè)重要方面。成本是非常重要的,而且必須與性能、功率特性和可靠性相平衡,一些諸如汽車和醫(yī)療之類的應(yīng)用,在可靠性方面非常嚴(yán)格,而其他應(yīng)用則不那么嚴(yán)格。” Borges指出,有很多模擬工藝使用較大的功能尺寸。“很多人仍在180和130nm尺寸內(nèi)制造。在該基準(zhǔn)線內(nèi),可能存在解決不同功率或電壓水平的衍生物�！� 可能需要不同的思考方式來解決問題。“高電壓晶體管的尺寸往往沒有得到很好的優(yōu)化�！� Microsemi的集成電路工程總監(jiān)Mathieu Sureau說:“在某些情況下,鑄造廠可能只會(huì)提供比我們需要的更高的給定電壓擊穿,這讓我們面臨兩個(gè)選擇 ——不去做任何改變,我們將面臨尺寸損失;或者開發(fā)我們自己的器件,但這不是最佳方案,因?yàn)槲覀冃枰?yàn)證它的可靠性。” 混合信號(hào)通常必須利用更多的現(xiàn)代工藝來獲得必要的數(shù)字密度。Synopsys產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Tom Ferry說:“我們開始看到工藝技術(shù)公司采用數(shù)字28nm制程并創(chuàng)建衍生產(chǎn)品。這些是針對(duì)具有比傳統(tǒng)28nm技術(shù)具有更多模擬或功率內(nèi)容的特定設(shè)計(jì)�！� 模擬設(shè)計(jì)規(guī)則可能包含額外的復(fù)雜性。Miller指出:“在聚焦數(shù)字化的工藝節(jié)點(diǎn)中,設(shè)計(jì)規(guī)則主要是保證可制造性和產(chǎn)量。在模擬技術(shù)中,通常還有其他設(shè)計(jì)規(guī)則用于捕獲許多‘模擬效應(yīng)’,例如良好的鄰近效應(yīng)(proximity effects)、應(yīng)力效應(yīng)(由于STI等)和模式變化(proximity effects)效應(yīng)。它們可能導(dǎo)致晶體管尺寸大于最小可制造尺寸,用于精確或匹配區(qū)域。換句話說,模擬技術(shù)通常會(huì)模擬高級(jí)節(jié)點(diǎn)中更大特征尺寸的工藝,從而進(jìn)一步降低了模擬模塊的工藝縮放的優(yōu)勢(shì)�！� 但是存在一些問題,有人從中看到了機(jī)遇。Sureau指出:“Guarding / latchup準(zhǔn)則/ PDK規(guī)則對(duì)于許多設(shè)備通常很差或不存在。這為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)提供了可能獲得優(yōu)勢(shì)的空間,或者至少與其他團(tuán)隊(duì)有所區(qū)別,關(guān)鍵在于他們?nèi)绾我宰顑?yōu)化的方式克服這些問題�！� Synopsys認(rèn)為, TCAD技術(shù)越來越多的使用幫助代工廠優(yōu)化和生產(chǎn)衍生產(chǎn)品工藝技術(shù)。TCAD采用晶體管的物理表征,并對(duì)晶體管的制造組裝進(jìn)行了物理描述。然后,一旦定義了物理結(jié)構(gòu),就可以進(jìn)入設(shè)備模擬來分析性能�！八�可以確定如何修改制造過程,以便能夠?qū)崿F(xiàn)我想要在我的產(chǎn)品中使用的一些器件級(jí)或電路級(jí)特性,” Borges解釋說,“這可以在任何晶圓被創(chuàng)建之前完成,并且可以顯著縮小我們需要探索的空間。然后,您可能需要進(jìn)行一些晶圓運(yùn)行來驗(yàn)證仿真是否正確。這可以做得更快,因?yàn)橛泻芏嗖缓侠淼牟糠忠呀?jīng)被消除了。” 競(jìng)爭(zhēng)格局 隨著我們遷移到finFET,數(shù)字電路再次受到青睞�！盀�7nm的 finFET數(shù)字設(shè)計(jì)PLL非常困難�！盕erry說“模擬設(shè)計(jì)很難。 finFET主要用于數(shù)字化�！� Miller證實(shí):“FinFET對(duì)模擬來說并不是很友好。設(shè)計(jì)人員僅限于少量設(shè)備尺寸,互連寄生效應(yīng)往往更難解決,而且還需要考慮更多與layout相關(guān)的效應(yīng),必須實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的良好匹配�！� 隨著汽車成為半導(dǎo)體消費(fèi)大戶,未來可能會(huì)有好消息。 “通過TCAD,工藝設(shè)計(jì)公司可以了解它們對(duì)于PLLs和其他模擬部件的工作效果�！盕erry說:“隨著芯片進(jìn)入汽車市場(chǎng)的模擬內(nèi)容越來越多,可靠性也越來越重要,因?yàn)樗鼈兊氖袌?chǎng)越來越大,所以我們會(huì)有更多的類型。 今天汽車設(shè)計(jì)的芯片比五年前要多。 這使得他們值得投資更多的錢,以便獲得更多的生意。我們需要平衡這個(gè)郭晨,以滿足集成部件的數(shù)字和模擬需求�！� 需要大量模擬芯片的芯片,包括傳感器、電源管理、集成MEMS和成像應(yīng)用等組件,并不急于獲得數(shù)字支持的最新節(jié)點(diǎn)。許多這些組件中需要與高電壓相互作用,對(duì)噪聲非常敏感,并受益于標(biāo)準(zhǔn)邏輯過程中無法獲得的特殊器件類型和隔離技術(shù)。 Miller說:“這導(dǎo)致了專門從事模擬能力的“超摩爾” 工藝節(jié)點(diǎn)的興起。這些技術(shù)是新的工藝風(fēng)格,但應(yīng)用于更大的特征尺寸(高達(dá)180nm!),并且支持雙極晶體管、高壓DMOS器件(一些器件能夠處理超過100V!),以及埋井和其他隔離策略,允許高精準(zhǔn)模擬與嘈雜數(shù)字共存。 當(dāng)模擬是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵需求時(shí),我們看到很多客戶選擇這些工藝�！� 分出勝負(fù) 已經(jīng)開發(fā)了設(shè)計(jì)技術(shù)來幫助模擬電路克服其中的一些問題。例子包括后期校準(zhǔn)和模擬電路的數(shù)字輔助,以動(dòng)態(tài)調(diào)整變化。 這些不是免費(fèi)的。 數(shù)字補(bǔ)償?shù)囊粋�(gè)例子是流水線ADC。 這具有計(jì)算開銷和數(shù)字的延遲,意味著補(bǔ)償比純模擬實(shí)現(xiàn)更慢,并增加了總功耗。 在技術(shù)節(jié)點(diǎn)上也可能有妥協(xié)的余地。“對(duì)于混合信號(hào)設(shè)計(jì)來說,數(shù)字內(nèi)容龐大,但這不足以證明跳轉(zhuǎn)到finFET的合理性,我們看到大量針對(duì)65nm的設(shè)計(jì)是一個(gè)不錯(cuò)的中間位置。” Miller說:“對(duì)于需要一些射頻功能的設(shè)計(jì),例如針對(duì)IoT邊緣設(shè)備市場(chǎng)的設(shè)計(jì),這一點(diǎn)尤其如此。” 可靠性 老化模型(Aging models)已經(jīng)基于數(shù)字電路開發(fā),并且在生命周期中,對(duì)模擬/ RF可靠性的關(guān)注不多。對(duì)于必須保證產(chǎn)品壽命的汽車和醫(yī)療應(yīng)用來說,這可能會(huì)成為一個(gè)更大的問題。許多模擬電路依賴于匹配,這意味著如果兩個(gè)組件老化程度和方式不相似,則會(huì)產(chǎn)生其他問題。這可能導(dǎo)致更頻繁的重新校準(zhǔn),也可能導(dǎo)致更復(fù)雜的設(shè)計(jì)。 如果器件無法重新連接到測(cè)試儀進(jìn)行校準(zhǔn),也可能意味著芯片或系統(tǒng)需要額外的復(fù)雜性。 較小的幾何形狀具有更多的可變性。“由于我們能夠以大量的細(xì)節(jié)來模擬制造工藝,所以我們可以在制造工藝流程中注入可變性”,Borges說:“隨著規(guī)模的不斷擴(kuò)大,這一趨勢(shì)正變得越來越重要。通常,對(duì)于與數(shù)字相關(guān)的模擬應(yīng)用,如設(shè)備匹配來說,這些效果變得更為重要。需要精心設(shè)計(jì)的過程來實(shí)現(xiàn)著一些功能�！� 必須注意,不需要對(duì)這些模型產(chǎn)生太多的悲觀情緒�！爸匾氖潜３窒嚓P(guān)變異的來源,因?yàn)閷?shí)際上,一些變異性來源可能在某種程度上互相抵消。”他說。 結(jié)論 業(yè)界長(zhǎng)期以來對(duì)數(shù)字化的關(guān)注已經(jīng)導(dǎo)致模擬技術(shù)被盡可能地?cái)D出圈子,但模擬總是必須的。今天,當(dāng)模擬內(nèi)容很重要是,對(duì)于這個(gè)問題的答案是,留在較大的節(jié)點(diǎn)上,但是代工廠的額外努力可能產(chǎn)生一些更好的折中方案,允許數(shù)字和模擬可以集成而不會(huì)有不公平的偏見。汽車可能是推動(dòng)這一趨勢(shì)的行業(yè)。 |
