|
隨著集成電路技術的高速發展，現代集成芯片的晶體管集成度和工作頻率獲得了較大提高，例如Intel處理器在一個內核中集成了上億個晶體管，且工作頻率已經超過2 GHz。目前，在器件水平上，CPU散熱器的輻射發射已經成為一個主要的電磁輻射源。散熱器上的能量主要由處理器里的硅核強耦合而來，另外還有散熱器附近電路線的耦合。在GHz范圍內，硅核的尺寸遠小于時鐘信號頻率及其諧波的波長，所以硅核自身輻射很小，可忽略。但當能量耦合到散熱器上情況就不同了，在這些頻率上，散熱器的尺寸相比于波長不能忽略。當散熱器的固有頻率接近于CPU的時鐘信號頻率時，散熱器就表現出強輻射，很容易對周圍環境產生電磁干擾，為了減少由此帶來的干擾，必須要研究散熱器的諧振特性及輻射特性。雖然無法精確模擬硅核中的電路以求解精確結果，但散熱器的電磁特性隨其相關參數(底面尺寸、鰭取向及高度)的變化趨勢也非常重要。本文詳細研究了散熱器的底面尺寸長寬比、鰭的取向及高度對第一諧振頻率(文中分析的均為第一諧振頻率，以下簡稱諧振頻率)，及諧振頻率點處電場增益及輻射方向的影響。通過研究，找出一般規律，為散熱器的設計及選取提供依據。 1 數值模型建立 在EMC標準問題的研究中，CPU散熱器問題是電磁兼容的主要問題之一。對于傳統CPU散熱器的建模，通常把散熱器分解成3個部分：接地面、激勵源和散熱器。從實際集成電路的電磁特性來看，可以將CPU核的電磁特性模擬為一個導體貼片。Brench認為可以將散熱器模擬為一個固體塊以簡化計算。Das和Roy通過實驗結果得出結論，可以用單極子天線模擬激勵源。 與傳統的處理器相比，P4處理器的結構和封裝有所不同：在集成芯片的頂部集成了一個散熱片，并且和芯片的封裝絕緣。因此，P4處理器與傳統處理器的散熱器數值模型有所不同，在文獻中，將兩種模型進行了對比，文獻已經提出了一個簡易多層結構數值模型。本文在P4多層簡易數值模型的基礎上，建立更加真實的鰭狀散熱器，如圖1和圖2所示。圖2中由下向上，依次為接地板(Ground)、貼片(Patch)、介質(Substrate)、集成散熱片(IHS)、散熱器(HS)。在此模型基礎上，詳細分析了以下兩點：(1)散熱器底面長寬比的變化對諧振頻點、諧振頻率處電場增益及輻射方向的影響；(2)鰭的取向及高度變化對諧振頻率、諧振頻率處電場增益和輻射方向的影響。圖1和圖2中各部分的材料如表l所示。 2 仿真分析 首先，將散熱器看作一個固體塊，采用標準尺寸88．9 mm×63．5 mm×38．1 mm，建立模型，對頻率1～6 GHz進行掃頻，得出反射系數，如圖3所示。對比圖3與文獻中圖4的結果可以看出，在第一諧振點基本一致，在低頻處仿真結果更加準確。 2．1 散熱器底面的長寬比對諧振頻率、電場增益及輻射方向的影響 將散熱器底面的長邊及高度固定，變化寬邊，觀察諧振頻率的變化和諧振頻率處電場增益、輻射方向的變化。設定散熱器長邊為88．9 mm，高度為38．1 mm，寬邊從40 mm變化到95 mm，每增加5 mm計算一次，即底面長寬比由0．93變化到2．22，得到電場增益及諧振頻率隨底面長寬比的變化圖，如圖4所示。 從圖4中看出，(1)當長寬比＞1．25時，諧振頻率變化并不明顯，保持在2．6～2．65 GHz。當長寬比減小時，諧振點將明顯向低頻偏移，例如，長寬比約為0．93時，諧振點已降到2．4 GHz。這是因為，當寬邊＜長邊時，長邊是優勢尺寸，它決定了散熱器諧振頻率。當長邊為88．9 mm時，它的諧振點在2．65 GHz左右，當寬邊＞88．9 mm后，此時寬邊變為長邊，成為優勢尺寸，優勢尺寸的變化主要影響了諧振點的變化。另外，在長寬比＞1．65時，諧振頻率有輕微下移；(2)當長寬比＞1．3時，電場增益保持在8 dB以上，這個增益大于大多數無線通信系統中便攜式器件的天線增益，散熱器表現出天線效應。長寬比為1左右時，電場增益下降1 dB以上。另外，電場增益與諧振頻率變化趨勢基本一致。 圖5給出了3個不同寬邊尺寸時，CPU散熱器電場增益二維輻射圖(3=0)，可以看出，輻射方向在θ=30左右。圖6(a)～圖6(c)給出了隨寬邊尺寸的增加，CPU散熱器3維輻射圖的變化。圖6(a)是寬邊為40 mm時的輻射圖；圖6(b)是寬邊為60 mm時的輻射圖；圖6(c)是寬邊等于長邊為88．9 mm時的輻射圖。由圖6(a)到圖6(c)的變化，可以看出隨著寬邊尺寸的增加，輻射方向由xz面的兩個輻射方向漸漸變化為xz面和yz面4個輻射方向，這是因為長邊對諧振點是優勢尺寸，它主要影響了在諧振點處散熱器的輻射方向特性。當寬邊小于長邊時，長邊決定輻射特性，此時有兩個輻射方向，如圖6(a)和圖6(b)所示；當寬邊接近長邊時，寬邊將和長邊一起決定輻射特性，此時出現4個輻射方向，如圖6(c)所示。 2．2 散熱器的鰭取向及高度對諧振頻率、電場增益及輻射方向影響 這里，采用散熱器的底面長寬為88．9 mm×63．5 mm。鰭厚度為2 mm，鰭間隔2 mm，散熱器底部的高為5 mm。 2．2．1 橫向鰭的影響 橫向鰭，即鰭走向沿著x軸，以z軸對稱兩邊各8個。當鰭的高度在0～60 mm時，間隔5 mm，進行仿真分析，得到諧振頻率及此頻率處電場的增益隨鰭高度的變化曲線，如圖7所示。從圖7可以看出，鰭高度在0～60 mm變化時，諧振頻率在2．5～2．65 GHz。隨著鰭高度的增加，電場增益增大，當鰭高過20 mm后，電場輻射增益基本保持在8 dB左右。 分別取鰭高為O mm，35 mm和55 mm時，由散熱器的電場增益2D圖看到，隨著橫向鰭高度的增加，在散熱器底部產生了明顯的輻射，并且其輻射方向隨鰭高度的增加也在變化，如圖8所示，但對其兩個主要輻射方向影響不大。 2．2．2 縱向鰭的影響 縱向鰭，即鰭走向沿著y軸，以z軸對稱兩邊各11個，鰭高度為0～50 mm變化，間隔5 mm進行仿真分析，得出第一諧振頻率及此頻率時電場增益隨鰭高度的變化曲線，如圖9所示。從圖9中可以看出。縱向鰭的變化對諧振頻率的影響較大，而且比較復雜，尤其是在鰭的高度＜20 mm時，隨著鰭高度的增加，第一諧振頻率有350 MHz的漂移，在鰭高為20 mm時，出現了多個不同的諧振點。當鰭的高度＞20 mm時，諧振頻率基本保持在2．65～2．7 GHz。同時也觀察到縱向鰭高度的變化對電場增益影響不大，其保持在8．0 dB，偏差0．4 dB左右。20 mm是個特殊點，此時仿真中出現3個接近的諧振點，只觀察了諧振最強的2．7 GHz，所以得出較小的電場增益。 分別取鰭高為0 mm，33．1 mm，50 mln時，由散熱器的電場增益2D圖看到，隨著縱向鰭高度的增加，在散熱器底部產生了明顯的輻射，并且其輻射方向隨鰭高度的增加也在變化，但對其兩個主要輻射方向影響不大，如圖10所示。 由縱向鰭和橫向鰭的仿真分析可以看出，總體上縱向鰭與橫向鰭表現出幾乎一致的效應，也就是說鰭的取向對散熱器的輻射方向影響不大。但是縱向鰭高度的變化對諧振頻率的影響還是很明顯的，尤其當鰭的高度在20 mm以下變化時，諧振頻率漂移很大。 3 結束語 本文重點分析了兩個因素對散熱器諧振頻率、諧振頻率處的電場增益及輻射方向的影響，即散熱器底面尺寸的長寬比、鰭取向和鰭高度變化。通過研究可以看出，散熱器底面長寬比的變化對諧振頻率有著明顯的影響；鰭的取向和高度對諧振頻率也有一定影響，隨著鰭的變化，諧振頻率有大約100 MHz的漂移，尤其對于縱向鰭，在其高度＜20 mm時，影響更加明顯；這3個因素對電場增益也有影響，但總體影響不大，基本保持在8．0 dB左右。但電場增益已經大于大多數無線通信系統中便攜式器件的天線增益，使得散熱器表現出明顯的天線效應；另外可以看到散熱器電場輻射有明顯的方向性，但其也受到散熱器底面尺寸及鰭高度的影響。由此，在設計或者選擇散熱器時，需要綜合考慮這些因素，使得散熱器的電磁輻射及干擾減到最小。 |
