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DDR存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求具有RAM(隨機(jī)存儲(chǔ)器)，因而DDR存儲(chǔ)器也變得日益重要，其應(yīng)用也更加廣泛。自問(wèn)世以來(lái)，RAM就已經(jīng)變得至關(guān)重要，主要因?yàn)樗且环N能夠保存易失性信息的存儲(chǔ)器，并且可以以一種更快速、更直接的方式存取信息。當(dāng)在數(shù)據(jù)計(jì)算的世界里談及系統(tǒng)速度和效率時(shí)，這一點(diǎn)顯得尤為重要。 DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，其可以通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升和下降沿上分別提取數(shù)據(jù)而使數(shù)據(jù)率加倍，現(xiàn)在看來(lái)它正發(fā)展成為最先進(jìn)的RAM芯片集。這與以往的SDR SDRAM大不相同，因?yàn)楹笳邇H能在時(shí)鐘周期的一個(gè)邊沿上提取數(shù)據(jù)。從圖1可以看出，DRAM正在向著速度和數(shù)據(jù)傳輸率都不斷提高的方向發(fā)展。 近些年來(lái)，CPU時(shí)鐘頻率經(jīng)歷了指數(shù)增長(zhǎng)，從而為RAM存儲(chǔ)器的時(shí)鐘頻率增長(zhǎng)提供了動(dòng)力。 在1997年，SD RAM在市場(chǎng)亮相，它可以取代DRAM和SRAM兩種存儲(chǔ)器并提供更快的時(shí)鐘速率。這主要源于SDRAM具有更簡(jiǎn)捷的通信協(xié)議；所有指令、地址和數(shù)據(jù)都由一個(gè)單獨(dú)的時(shí)鐘信號(hào)控制并且工作在突發(fā)模式，可以在66MHz的時(shí)鐘頻率下突發(fā)一系列數(shù)據(jù)字。在1998年，SD RAM頻率已經(jīng)增長(zhǎng)到100MHz 的突發(fā)脈沖速率。 在1999年，英特爾和AMD間的企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)，在CPU時(shí)鐘速度方面也不例外。處理器行業(yè)的蓬勃發(fā)展進(jìn)一步加大了CPU時(shí)鐘速度與其它系統(tǒng)組件間的差距。在此期間，盡管存儲(chǔ)器總線速度已經(jīng)全力達(dá)到了133MHz，但卻仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于CPU所能完成的速度，因此，總的來(lái)說(shuō)，這也成為提高整體應(yīng)用速度的瓶頸。 為了解決這個(gè)問(wèn)題，DDR RAM(雙數(shù)據(jù)速率傳輸)的設(shè)計(jì)應(yīng)運(yùn)而生。DDR RAM允許分別在時(shí)鐘的上升沿和下降沿上提取數(shù)據(jù)，從而加倍了時(shí)鐘的有效傳輸速率。例如，一個(gè)100MHz的DDR時(shí)鐘能夠達(dá)到相當(dāng)于200MHz時(shí)鐘頻率的峰值傳輸速率。這就是DDR1技術(shù)，其速度可高達(dá)400MHz。 下一代DDR，即我們所說(shuō)的DDR2。DDR2技術(shù)將數(shù)據(jù)傳輸速率從400MHz提升到800MHz，數(shù)據(jù)總線為64位(8字節(jié))。它不能與前一代DDR1存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)物理兼容，這種二代存儲(chǔ)器現(xiàn)在已經(jīng)是由RAM存儲(chǔ)器廠商普遍生產(chǎn)的產(chǎn)品。 DDR3技術(shù)在2006年年底就已經(jīng)投放使用，并補(bǔ)充了DDR2的不足(達(dá)到800Mbps的帶寬)，將速度提升到1.6 Gbps。 除了眾所周知的PC應(yīng)用，DDR存儲(chǔ)器還廣泛用于高速并對(duì)存儲(chǔ)器提出高要求的應(yīng)用中，如：圖形卡、刀片式服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)裝置和通信裝置等。 在市場(chǎng)細(xì)分中，對(duì)速度和更低工作電壓都有苛刻要求的一個(gè)領(lǐng)域是便攜式消費(fèi)領(lǐng)域。舉例來(lái)說(shuō)，我們已注意到越來(lái)越多的電子元器件都能提供圖形和動(dòng)態(tài)圖片(視頻)能力，從而滿足了我們對(duì)于更多DRAM存儲(chǔ)器的高需求。像PSP(便攜式游戲機(jī))游戲系統(tǒng)、智能電話、數(shù)碼相機(jī)或GPS(全球定位服務(wù))裝置等產(chǎn)品都會(huì)采用某種DRAM，而且都將要求盡可能低的功耗，以使電池的運(yùn)行時(shí)間更長(zhǎng)。 由于DDR存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率隨著技術(shù)的發(fā)展而不斷提高，那么工作電壓也在隨之變化。目前用于驅(qū)動(dòng)DDR3 SDRAM的DDR3標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.5V(圖2)。因此我們注意到隨著標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)，新的技術(shù)正在推動(dòng)電壓變得越來(lái)越低。 表1顯示了RAM存儲(chǔ)器芯片集在時(shí)鐘和轉(zhuǎn)換速率方面的簡(jiǎn)要對(duì)比，這些芯片集主要用于當(dāng)今的PC電腦，其中包括SDR、DDR1、DDR2和最新推出的DDR3模塊。 DDR標(biāo)準(zhǔn) 為了對(duì)DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM間的差異進(jìn)行比較，參考表2。 先將運(yùn)行時(shí)鐘頻率或速度放在一邊，單從工作電壓這一點(diǎn)來(lái)看，我們能夠看出DDR1、DDR2和DDR3存儲(chǔ)器分別由2.8，1.8和1.5V的電壓來(lái)供電。因此，與使用3.3V電壓的SDRAM標(biāo)準(zhǔn)芯片集相比，這些存儲(chǔ)器在產(chǎn)生更少熱量同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了更高的效率。DDR3通過(guò)采用 1.5V的工作電壓，消耗的功率比DDR2(采用1.8V)更少——較DDR2降低了16.3%。DDR2和DDR3存儲(chǔ)器都具有節(jié)能的特性，如采用了更小的頁(yè)面尺寸和有效的掉電模式。而且，DDR存儲(chǔ)器接口采用新的串聯(lián)端接邏輯(SSTL)拓樸，旨在提高抗噪性、增加電源抑制并通過(guò)更低的電源電壓來(lái)降低功耗(針對(duì)可比的速度)。另外值得注意的一點(diǎn)是，DDR3和DDR2 SDRAM支持片內(nèi)端接，而DDR1 SDRAM不支持。 這些特性和功耗優(yōu)勢(shì)使它們特別適合用于筆記本電腦， 服務(wù)器和低功率移動(dòng)應(yīng)用。 這里，我們總結(jié)了不同的DDR SDRAM的電源管理系統(tǒng)需求。SDRAM和目前正在應(yīng)用的DDR SDRAM相比的主要差別是：
對(duì)于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個(gè)電源，分別為表3所列的VDDQ、VTT和VREF。 我們將深入研究需要這些電壓的原因。 盡管DDR存儲(chǔ)器在無(wú)需加倍時(shí)鐘頻率的情況下使數(shù)據(jù)傳輸率加倍，避免了PC板設(shè)計(jì)和布局的復(fù)雜性，但它要求有更嚴(yán)格的dc穩(wěn)壓、更高的電流和對(duì)端電源電壓(VTT)和存儲(chǔ)總線電壓(VDD)緊密的跟蹤。新型串聯(lián)端接邏輯(SSTL)拓樸的引入是用于提高抗噪性、增加電源抑制并使用更低的電源電壓以降低功耗。 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD8-9A(用于SSTL_2)和JESD8-15(用于SSTL_18)定義了VDDQ、VTT和VERF以及驅(qū)動(dòng)器/接收器規(guī)格以分別滿足在VDDQ= 2.5 V (用于 DDR1) 和VDDQ = 1.8 V (用于 DDR2)時(shí)的噪聲容限。下面，我們看看這種接口以更好的理解VREF和VTT的需要。 SSTL接口 圖3顯示了DDR存儲(chǔ)器的新型串聯(lián)端接邏輯(SSTL)拓樸。 SSTL_2的接口具有下述特性：
VTT電源的電流流向隨著總線狀態(tài)的變化而變化。因此，VTT電源需要提供電流和吸收電流 (source & sink)，如圖4中紅色和藍(lán)色箭頭所示。 由于VTT電源必須在 1/2 VDDQ提供和吸收電流，因此如果沒(méi)有通過(guò)分流來(lái)允許電源吸收電流，那么就不能使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)電源。而且，由于連接到VTT的每條數(shù)據(jù)線都有較低的阻抗，因而電源就必須非常穩(wěn)定。在這個(gè)電源中的任何噪聲都會(huì)直接進(jìn)入數(shù)據(jù)線。 圖5詳細(xì)闡述了信號(hào)如何流過(guò)SSTL_2接口。 總線信號(hào)以VTT電壓為中心上下擺動(dòng)。當(dāng)總線信號(hào)電壓超過(guò)比較器的閥值電壓時(shí)，它將輸出一個(gè)如圖所示的反向電壓。在這個(gè)系統(tǒng)中，比較器的閥值電壓為電源所提供的VREF電壓。 由于在比較器中存在滯回現(xiàn)象，信號(hào)的圖片將有一個(gè)時(shí)間偏移，如圖所示。 因此，在VIHmin 和VIlmax之間，仍保持著先前的VTT狀態(tài)。 VTT和VREF的電壓跟蹤 為了保持信號(hào)的目標(biāo)特性，VTT和VREF必須跟蹤VDDQ。它們必須控制在1/2 VDDQ的范圍內(nèi)。 當(dāng)VTT和VREF的跟蹤失效時(shí)，由于‘High ’和‘ Low ’的周期不同， 信號(hào)的目標(biāo)特性將會(huì)惡化，從而引起定時(shí)漂移。 DDR1 SDRAM系統(tǒng) 在DDR1 SDRAM應(yīng)用中，VTT被用來(lái)從電源IC中獲取電壓，以給數(shù)據(jù)總線和地址總線提供電源。 如圖7所示，地址指令和控制線要求系統(tǒng)級(jí)端口接到一個(gè)等于1/2存儲(chǔ)器電源電壓(VDDQ)的電壓(VTT)。在中點(diǎn)具有端電壓，電源保證轉(zhuǎn)換時(shí)間的對(duì)稱。 VTT被用來(lái)從電源IC中獲取電壓，以給數(shù)據(jù)總線和地址總線提供電源。對(duì)于DDR1 SDRAM應(yīng)用中的地址總線控制信號(hào)和數(shù)據(jù)總線信號(hào)都有端接電阻。需要一個(gè)沒(méi)有任何的噪聲或者電壓變化的參考電壓(VREF)，用作DDR SDRAM輸入接收器，VREF也等于1/2 VDDQ。VREF的變化將會(huì)影響存儲(chǔ)器的設(shè)置和保持時(shí)間。 為了符合DDR的要求并保證最優(yōu)的性能，VTT和VREF需要在電壓、溫度和噪聲容限上進(jìn)行嚴(yán)密的控制以便跟蹤1/2 VDDQ。 DDR2 SDRAM系統(tǒng) 我們將會(huì)看到兩個(gè)特別的例子，說(shuō)明對(duì)于一個(gè)典型的DDR2系統(tǒng)，DDR總線如何連接。在下面描述的第一個(gè)存儲(chǔ)器應(yīng)用示例中。用于數(shù)據(jù)總線的VTT由VDDQ在存儲(chǔ)器內(nèi)通過(guò)ODT來(lái)生成。然而，有必要從電源IC中提供VTT來(lái)給地址總線控制信號(hào)。 注意：對(duì)于DDR2存儲(chǔ)器，內(nèi)置有數(shù)據(jù)總線的端接電阻，但是在DDR1存儲(chǔ)器的應(yīng)用中，仍需要用于地址總線控制信號(hào)的端接電阻。 現(xiàn)在，讓我們來(lái)看一種特殊情況，其中DDR2存儲(chǔ)器的應(yīng)用連接不需要VTT電源和端電阻，在這種情況下，當(dāng)控制器和存儲(chǔ)器之間的地址總線控制信號(hào)的導(dǎo)線長(zhǎng)度足夠短的情況(如小于63.5mm)；VTT的電源和端接電組是多余的。 從圖9可見(jiàn)，因?yàn)闊o(wú)需VTT，所以也無(wú)需源自電源芯片的VTT電源——標(biāo)示為MC34716。 采用飛思卡爾DDR電源的應(yīng)用示例 圖10為采用MC34712 & MC34713的DDR電源管理的應(yīng)用示例。 MC34713器件用作系統(tǒng)的VDDQ電源，其中用于DDR1的為2.5V，用于DDR2的為1.8V，而用于DDR3的為1.5V。MC34713產(chǎn)生了VDDQ然后將其注入MC34712。然后，MC34712跟蹤注入“VDDQ”以生成用于存儲(chǔ)器系統(tǒng)的VTT和VREF。此電壓將用作為用于DDR存儲(chǔ)器和電源和輸入?yún)⒖茧妷海鐖D10所示。 引腳“VREFOUT”直接與DDR存儲(chǔ)器的VREF相連接，提供一個(gè)等于1/2 VDDQ的穩(wěn)定的參考電壓。 端口/SHTD，/STBY和PGOOD被用作接口，借助于一個(gè)DDR存儲(chǔ)器控制器與MCU相連接來(lái)控制DDR芯片集。 圖11是采用飛思卡爾MC34716的DDR存儲(chǔ)器電源管理的另外一個(gè)應(yīng)用示例。 注意MC34716電源不依賴于DDR存儲(chǔ)器電源。在這種情況下，SW1將給DDR存儲(chǔ)器提供電源(VDDQ)。它也與MC34716上終端的VREFIN和PVIN2相連接。MC34716的端口的SW2為存儲(chǔ)器芯片數(shù)據(jù)總線提供VTT電壓，并跟蹤VDDQ來(lái)取得1/2 VDDQ。 引腳VREFOUT直接連接到DDR存儲(chǔ)器的VREF，提供一個(gè)穩(wěn)定的等于1/2 VDDQ的參考電壓。 端口/SHTD，/STBY和PGOOD被用作接口，借助于一個(gè)DDR存儲(chǔ)器控制器與MCU相連接來(lái)控制DDR芯片集。 采用飛思卡爾DDR電源的優(yōu)勢(shì) 采用飛思卡爾DDR電源管理解決方案的優(yōu)勢(shì)總結(jié)如下(見(jiàn)表4)：
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