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1956年，經過幾年的恢復建設中國工業逐步走上正規，但當時電子工業在中國基本還是一片空白，為此，我國提出“向科學進軍”，根據國外發展半導體產業的進程，國務院制訂了“十二年科學技術發展遠景規劃”明確了中國發展半導體的決心。這是中國半導體產業發展的初始階段，即分立器件發展階段，時間跨度從1956～1965年，歷時十年，從半導體材料開始，依靠自力更生研究半導體器件。典型的代表為1957年北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶，之后，我國技術人員依靠自身技術開發，相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管，隨后1959年在天津四十六所利用直拉法拉制出中國第一顆實用直拉硅單晶，1962年又研發了砷化鎵(GaAs)單晶，同年，我國研究制成硅外延工藝，并著手研究開發照相制版、光刻工藝。隨著我國在半導體材料研究取得一些列成就，半導體器件研究的進程也開始加快，為此，中國科學院于1960年在北京建立了中國科學院半導體研究所，同年在河北省石家莊建立了工業性專業研究所，即現在的河北半導體研究所。到了上個世紀60年代初，中國半導體器件開始在工廠生產。通過十年的發展，半導體這門新興的學科在中國由一批歸國半導體學者帶領，完全依靠自身的力量，將半導體從課堂和實驗室發展到實驗性工廠和生產型工廠。 從零開始踏上集成電路產業征程 中國集成電路產業始于1965年，在集成電路初始發展階段的15年中，中國依靠自己的力量，于1965年12月由河北半導體研究所鑒定了第一批半導體管，并在國內首先鑒定了DTL型數字邏輯電路，1966年底，在上海元件五廠鑒定了TTL電路產品，這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。這一系列的進展標志著中國已經研制出了自己的小規模集成電路。1968年，組建國營東光電工廠即 878廠、上海無線電十九廠，并于1970年建成投產。進入七十年代，全國掀起IC企業建設熱潮，僅七十年代初全國就建成了四十多家集成電路生產工廠，盡管取得了一些成就，但由于受到文革的影響，再加上閉門造車和國外封鎖，中國集成電路產業與國外差距逐漸拉大，而此時美國已經進入超大規模（VLSI）時代。 改革開放使中國IC產業獲得生機 中國IC產業規模化發展是從改革開發以后開始的，1982年10月，為了加強中國計算機和大規模集成電路的的發展，國務院成立了“電子計算機和大規模集成電路領導小組”，制定了我國IC產業發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造，并于1983年確立了“建立南北兩個基地和一個點”。其中，南方基地是以江蘇、上海、浙江為主，北方基地則以北京為主。在改革開放的條件下，全國有33個單位不同程度的引進了各種IC設備，共引進了約24條線的設備，但全行業存在重復引進和過于分散的問題，其中大部分為淘汰的3英寸及少量的4英寸生產線，而此時國外已經開始了6英寸和8英寸硅片的規模化生產。介于中國IC產業發展過程中存在的問題，電子部先后兩次分別在廈門和無錫召開IC產業發展戰略討論會，并確立了1989年—1995年產業發展戰略：加速基地建設，形成規模經濟生產，注重發展專用集成電路，加強科研和支撐條件，振興中國IC產業。根據這個戰略，明確集中力量，重點建設華晶集團公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導體公司、首鋼日電電子有限公司五個主干企業，并于1990年開始，部署國家集成電路重點工程建設項目。 中國半導體發展歷史上著名的908工程和909工程正是始于這個時期。908工程是1990年8月由機電部提出并于1992年獲得國務院批準實施。該項目于1995年開始建設6英寸晶圓生產線，在1998年1月通過對外合同驗收后，與香港上化公司合資成為國內一條集成電路Foundry生產線。 908工程的建成投產使國內集成電路生產技術水平由2-3微米提高到0.8-1微米。1995年底，國務院又開始決策實施“909工程”，其內容是建設一條8英寸、0.5微米技術起步、月加工2萬片的超大規模集成電路生產線以及若干家IC設計企業，其主體為上海華虹集團。雖然“909”工程面對了一路坎坷，但作為國家發展微電子產業重點工程，“909”工程帶動了上下游相關產業的發展，并未后來中國發展半導體產業提供了重要的指示作用。 政策保障、市場導向助推中國IC產業飛速發展 在1990年以前，中國發展半導體產業主要以國家投資為主，隨著對外開放的不斷深入，以及中國巨大的市場需求，國外半導體巨頭紛紛來華合資或獨資建立集成電路企業，國內集成電路行業的投入規模迅速擴大，外資所占的比重也逐步上升。2000年6月，在廣泛調查研究和征求意見的基礎上，18號文件和51 號函從鼓勵產業發展、稅收減免、投資優惠、進出口政策、加速設備折舊、支持研究開發、加強人才培養、鼓勵設備本地化以及知識產權保護等多個方面對國內集成電路產業的發展給予了諸多優惠政策。受此鼓舞，國內集成電路領域掀起了一輪前所未有的投資熱潮，其中芯片制造業有中芯國際、宏力半導體、和艦科技、臺積電、海力士-意法等多個大型投資項目，封裝測試業則有Intel、Infineon、Freescale、ST、Samsung、Renesas、 Fairchild等國際半導體巨頭在中國開工建廠。在此期間，中國IC設計產業也取得了飛速發展，2000-2003年間國內從事IC設計的企業數量從不足百家暴增到460家左右，涌現出了大批年產值規模上億的企業，其中珠海炬力、中星微、展訊通信等相繼在海外成功上市。到2007年，國內集成電路產量已經達到411.7億塊，銷售額達到1251.3億元，分別是1997年產量和銷售額的24.5倍和23.8倍。中國集成電路產業規模已經由1997年不足世界集成電路產業總規模的千分之六提高到2007年的百分之八。目前，中國集成電路產業已經形成了IC設計、芯片制造、封裝測試三業及支撐配套業共同發展的較為完善的產業鏈格局。 外部壓力持續增大面臨挑戰 產業競爭日趨激烈加大本土企業發展壓力 集成電路產業作為國際化的產業，其競爭也一直呈現國際化的特征。多年以來，中國集成電路產業的競爭格局一直呈現國有和外資企業平分天下的態勢。但近幾年來，隨著外資和民間資本加速進入國內集成電路行業，以上產業格局正在發生根本性的改變，其總的趨勢是外資企業開始占據主體地位，民營企業也開始發揮舉足輕重的作用。在芯片制造和封裝測試領域，中芯國際、宏力半導體、和艦科技、INTEL（上海、成都）、Infineon（蘇州）等投資新建項目均為外資企業，目前外資企業在芯片制造和封裝測試銷售收入中所占比重已經超80%，這對國內尚處于幼小階段的本土企業來說無疑意味著巨大的競爭壓力。與制造業不同，IC設計業目前仍由華大、大唐、國微等國有設計公司占據主導地位。但杭州士蘭、中星微電子等一批民營設計公司已經崛起、而國際半導體企業也開始大量在華投資設立研發中心。Infineon、ST、Micron、Altera等公司在2004年都在中國設立了IC設計中心。目前這些跨國公司主要是看中中國豐富的人力資源和低廉的人力成本，其業務模式也都是承接母公司的設計任務。但隨著國內市場需求的發展，這些設計中心也必將面向本地市場進行設計和服務。這又將與本土IC設計企業形成爭奪市場、爭奪資源的局面，從而對國內集成電路自主知識產權的形成構成挑戰。 產業鏈銜接不暢阻礙產業整體發展 中國集成電路產業近幾年一直呈現“大進大出”的現象——市場所需的產品80%以上依賴進口，而國內生產的產品又有近80%供出口，究其原因，國內集成但路產業鏈之間的嚴重脫節是產生這一怪現象的直接原因。在設計業方面。雖然目前中國已經具備了龐大的集成電路市場需求，但是面對如此巨大的市場國內IC 設計企業為整機生產企業進行配套的情況卻不盡人意，市場所需的產品仍主要需要大量進口。究其原因，除技術差距外，渠道的欠缺更是重要的原因。目前由包括港、澳、臺在內的外商獨資/合資在華設立的企業構成了市場需求得主體。在這樣的市場格局下，國內IC設計企業要進入這些整機生產企業的采購體系，不僅需要接受嚴格的企業資質認證，經過漫長的產品檢測認證，更要面對來自全球各大半導體廠商面對面的激烈競爭，這對于尚處于起步階段的國內IC設計企業來說無疑是巨大的挑戰。在制造業領域，由于出口退還17%的增值稅。而內銷則要征收17%的增值稅。在這樣巨大的稅收差別下，各有關集成電路企業都在盡可能將產品出口到境外以獲取出口退稅的優惠。此外，由于在成品出口的情況下，采用進料加工和來料加工裝配的貿易方式進口的原材料（包括元器件）不征收進口環節增值稅，因而眾多國內企業都采用將芯片出口到境外的相關公司以獲取出口退稅，該公司再將芯片以來料加工或來料加工裝配的方式賣給國內企業進行封裝以免除芯片的進口環節增值稅，封裝后的芯片再以同樣的方式出口再進口到國內整機生產企業，而整機生產企業的產品則最終出口。這一過程被形象的比喻為“體外循環”。雖然有關國內集成電路產業鏈斷裂的現象已經引起了國家有關方面的高度重視，并正在著手制定相應的對策。但考慮到造成這一現象的諸多深層次矛盾難以在短期之內得到根本解決，因此這一現象還將長期存在，其對國內集成電路產業發展所帶來的負面影響也將持續相當一段時間。 來源：賽迪顧問 |
