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ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布，雙方在采用化學氣相沉積(CVD)工藝商業化生產基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進展。兩家企業正在合作開發的項目獲得重大進步，該化學氣相沉積生產的基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠實現按比例縮小，而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術。由于具有獨特的性能，相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產品，且是NOR型閃存的替代性產品；PCM還能擠占相當大部分先進技術節點的DRAM的市場。 此項研究在高長寬比的相變存儲器單元中實現了均勻沉積，與在可比的器件結構上濺射沉積GST 225相比，顯示出了良好的電學特性。結果包括各種CVD合金的沉積，設定速度低于50納秒(ns)，典型耐受時間為108到1010個周期，100°C 以上時數據保留時間為10年。最新合作研究的成果將作為同行評審的技術論文發表在九月份的《Electron Device Letters》上，重點介紹器件的電學性能。ATMI還將在歐洲\相變與Ovonics研討會(E/PCOS)上宣讀一篇關于化學氣相沉積工藝的論文。 “基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)仍然顯示出顯著的商業化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術，”ATMI的執行副總裁與微電子事業部總經理Tod Higinbotham表示，“不過，在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一，便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量，延長電池壽命和提高數據帶寬，這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。” 兩家公司計劃向半導體產業授權這些技術，ATMI將提供相關的前驅材料和沉積技術，進一步推動和促進PCM高性能存儲應用的商業化。ATMI將于2010年第四季度在300mm晶圓上展示CVD GST技術。 |
