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IBM本周發(fā)明了一項(xiàng)革命性的新技術(shù)，這一技術(shù)的問世會(huì)將電子設(shè)備的運(yùn)行、載入速度大大提高。 IBM當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二宣布了自己在所謂“相變化內(nèi)存”(Phase Change Memory, PCM)技術(shù)上取得的重大進(jìn)步，而這一技術(shù)進(jìn)步則將幫助我們突破現(xiàn)有電子設(shè)備運(yùn)行速度的瓶頸。 事實(shí)上，“相變化內(nèi)存”多年來一直處于研發(fā)階段，但I(xiàn)BM認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)的成本已降至了可被消費(fèi)者電子設(shè)備接受的范圍內(nèi)。同時(shí)，這一技術(shù)對(duì)于諸如Facebook這些需要迅速訪問大量信息的企業(yè)也會(huì)帶來巨大幫助。 據(jù)悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯(Haris Pozidis)在當(dāng)時(shí)間周二的巴黎存儲(chǔ)技術(shù)大會(huì)上首次公布了公司取得的這一成績(jī)，而他則相信“相變化內(nèi)存”會(huì)在2017年正式投入商用。 簡(jiǎn)單來說，“相變化內(nèi)存”需要對(duì)芯片內(nèi)特殊微型玻璃材料進(jìn)行電加熱，而這些材料中每個(gè)單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數(shù)據(jù)大小。比如，在逐步降溫的過程中，材料原子將會(huì)呈晶格式排列。而在迅速降溫時(shí)，材料原子的排列將雜亂無章。不過，IBM已經(jīng)對(duì)這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)以確保其能夠存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)位。而早在2011年，IBM就成功實(shí)現(xiàn)了在單個(gè)單位中保存兩位數(shù)據(jù)。 在本周巴黎存儲(chǔ)技術(shù)大會(huì)上，珀奇迪斯宣布“相變化內(nèi)存”單位已可以保存三位數(shù)據(jù)。而在一塊芯片中保存更多的數(shù)據(jù)就意味著這一技術(shù)成本的下降，因此其相較于傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)也更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 平心而論，我們大多數(shù)人都將計(jì)算機(jī)、電子設(shè)備在近年來取得的逐步進(jìn)步認(rèn)作是理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖虑椤５聦?shí)上，無論是筆記本變得更薄還是網(wǎng)絡(luò)速度變得更快的背后都凝聚了無數(shù)人的辛勤勞動(dòng)和付出。而且，將一項(xiàng)新技術(shù)正式投入商用也不是一件簡(jiǎn)單的事情。 目前，我們使用的手機(jī)和PC設(shè)備通常會(huì)同時(shí)使用兩種技術(shù)保存數(shù)據(jù)，它們分別是能耗較大的DRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)的閃存。不過，“相變化內(nèi)存”結(jié)合了DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)。具體來說就是，DRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)的存取速度是“相變化內(nèi)存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內(nèi)存”技術(shù)的手機(jī)應(yīng)用加載速度將比閃存更快。 IBM預(yù)計(jì)，“相變化內(nèi)存”的未來成本將會(huì)低于DRAM，甚至可以降至與閃存相當(dāng)?shù)乃健．?dāng)然，要想讓“相變化內(nèi)存”技術(shù)的制造成本降低至閃存的水平也并非易事。因?yàn)槿缃褚琅f有許多廠商在繼續(xù)改進(jìn)閃存技術(shù)，且取得了不錯(cuò)的成效。其中一個(gè)最為明顯的例子就是，第一代iPad的最大存儲(chǔ)容量?jī)H為64GB，而最新iPadPro的最大內(nèi)存已經(jīng)提高至了256GB級(jí)別。 --騰訊科技 |
