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惠普周二宣布，已與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協議，共同研發下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。 聲明顯示，兩家公司將合作開發新型材料和技術，實現電阻式內存(ReRAM)技術的商業化。海力士將會采用由惠普實驗室研發出的新型元件憶阻器 (memristor)。憶阻器相比現有的固態存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執行邏輯。 ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM還可以模擬Flah、DRAM甚至硬盤。總之，ReRAM可以成為通用存儲管道。 惠普表示，憶阻器能夠在斷電的狀態下存儲信息，而且能耗極低。這就意味著筆記本電腦運行速度可以更快，一次充電使用時間更長。考慮到如今智能手機應用的繁多，這一技術也將大大延長智能手機的使用時間。 在未來，由于計算和存儲功能能夠在同一個芯片上實現，筆記本電腦和手機將會變得輕薄得多，而且比現在運行快得多。 |
