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惠普周二宣布，已與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器 (memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM還可以模擬Flah、DRAM甚至硬盤。總之，ReRAM可以成為通用存儲管道。 惠普表示，憶阻器能夠在斷電的狀態(tài)下存儲信息，而且能耗極低。這就意味著筆記本電腦運(yùn)行速度可以更快，一次充電使用時間更長。考慮到如今智能手機(jī)應(yīng)用的繁多，這一技術(shù)也將大大延長智能手機(jī)的使用時間。 在未來，由于計算和存儲功能能夠在同一個芯片上實現(xiàn)，筆記本電腦和手機(jī)將會變得輕薄得多，而且比現(xiàn)在運(yùn)行快得多。 |
