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SD4851是內置700伏高壓MOSFET的原邊控制、帶線損補償和峰值電流補償功能的高端無光耦開關電源控制器。它采用PFM調制技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環路，具有非常高的穩定性和平均效率，廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。 SD4851 采用了原邊調整（PSR）技術，通過檢測變壓器初級線圈的電流和輔助線圈的電壓，間接控制系統的輸出電壓/電流，從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。該電路采用了士蘭微電子自主知識產權的線損補償專利技術，可以根據電纜的電阻大小調整補償電阻，在不同負載電流的條件下，自動調節補償電壓，以保證不同負載電流的條件下的輸出端電壓相同；峰值電流補償功能用來保證在不同的交流電壓輸入條件下，輸出恒流值相同。 目前的SD4851電路可提供3.5W輸出功率（5V /700mA），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線纜），待機功耗小于100mW，輸出電壓的負載調整率優于±4.0%，輸出電壓的輸入線電壓調整率優于±0.6%，整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。通過調整限流電阻，SD4851可以提供5W左右的輸出功率。在選擇更低導通電阻的高壓MOSFET條件下，電路的輸出功率范圍可達到6W~10W。 SD4851基于士蘭微電子自行研發的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內置高壓MOSFET的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點。 此外，采用SD4851設計整機系統，可以省去光耦、次級反饋控制、環路補償，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統，大幅節省了系統耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶精簡設計布局，降低開發和制造成本。 小型充電設備今后的發展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續在該領域投入研發力量，推出新品。預計2009年下半年將推出內置高壓啟動模塊、滿足能源之星2.0版本、LEVEL 5規格的電路，待機功耗小于30mW，平均效率達到70%。 |
