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TO-247-4封裝的SiC MOSFET因其高速開關(guān)性能、降低的開關(guān)損耗等優(yōu)勢而受到市場的廣泛歡迎，這種封裝通過Kelvin連接減少了電源線電感對柵極驅(qū)動信號的影響，提供了設(shè)計靈活性并改善了熱性能，適用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變器、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能和充電樁等多種應(yīng)用領(lǐng)域，滿足了市場對高效率和高功率密度解決方案的需求。目前愛仕特已量產(chǎn)21款TO-247-4封裝的SiC MOSFET，電壓覆蓋650V—3300V。 愛仕特始終秉承創(chuàng)新理念，近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標準封裝尺寸，通過內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導(dǎo)熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設(shè)計，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導(dǎo)致的長期運行故障風(fēng)險，增強了產(chǎn)品可靠性和耐用性。 
SiC MOSFET的性能特點：該產(chǎn)品搭載了愛仕特自研第三代SiC 芯片，具有開關(guān)速度快、抗干擾能力強和高可靠性等特點。該產(chǎn)品尺寸為40*15.9*5mm，與常規(guī)TO-247-4封裝尺寸一致，可實現(xiàn)快速替換。 高開關(guān)速度 SiC 材料的高電子遷移率，提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和動態(tài)性能 高功率密度 搭載第三代自研SiC 芯片，實現(xiàn)小尺寸下的大電流承受能力 低寄生電感設(shè)計 緊湊內(nèi)部布局，降低功率回路中的寄生電感高抗干擾能力具有開爾文源極引腳，能夠進一步降低器件的開關(guān)損耗，提高模塊的抗干擾能力高溫穩(wěn)定性寬溫度范圍下（-55°C至175°C）的穩(wěn)定運行，適應(yīng)各種環(huán)境條件
安裝工藝不同：簡化生產(chǎn)流程 簡化的內(nèi)絕緣封裝設(shè)計不僅提高了生產(chǎn)效率，還降低了熱阻，為電力系統(tǒng)的高性能運行提供了新的選擇。 在應(yīng)用中的對比優(yōu)勢 降低成本 無需增加MOSFET和散熱片之間的絕緣片及固定螺絲上的絕緣粒，節(jié)約了材料成本、物料管理成本和生產(chǎn)成本 簡化生產(chǎn)裝配 省略器件與散熱器之間的絕緣墊片，簡化生產(chǎn)流程 解決不同作用的MOSFET共用一個散熱片的絕緣問題 提高可靠性 避免因絕緣材料高溫或破裂而產(chǎn)生的可靠性問題 銅框架和SiC 芯片的熱膨脹系數(shù)差異較大，內(nèi)置陶瓷絕緣片可以提高功率循環(huán)的可靠性 |
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