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SD4851是內(nèi)置700伏高壓MOSFET的原邊控制、帶線(xiàn)損補(bǔ)償和峰值電流補(bǔ)償功能的高端無(wú)光耦開(kāi)關(guān)電源控制器。它采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率，廣泛適用于手機(jī)充電器、小功率適配器、待機(jī)電源、MP3及其他便攜式設(shè)備。 SD4851 采用了原邊調(diào)整（PSR）技術(shù)，通過(guò)檢測(cè)變壓器初級(jí)線(xiàn)圈的電流和輔助線(xiàn)圈的電壓，間接控制系統(tǒng)的輸出電壓/電流，從而達(dá)到輸出恒壓或者恒流的目的。該電路采用了士蘭微電子自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的線(xiàn)損補(bǔ)償專(zhuān)利技術(shù)，可以根據(jù)電纜的電阻大小調(diào)整補(bǔ)償電阻，在不同負(fù)載電流的條件下，自動(dòng)調(diào)節(jié)補(bǔ)償電壓，以保證不同負(fù)載電流的條件下的輸出端電壓相同；峰值電流補(bǔ)償功能用來(lái)保證在不同的交流電壓輸入條件下，輸出恒流值相同。 目前的SD4851電路可提供3.5W輸出功率（5V /700mA），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線(xiàn)纜），待機(jī)功耗小于100mW，輸出電壓的負(fù)載調(diào)整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線(xiàn)電壓調(diào)整率優(yōu)于±0.6%，整機(jī)對(duì)空氣的ESD能力大于±15KeV。通過(guò)調(diào)整限流電阻，SD4851可以提供5W左右的輸出功率。在選擇更低導(dǎo)通電阻的高壓MOSFET條件下，電路的輸出功率范圍可達(dá)到6W~10W。 SD4851基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內(nèi)置高壓MOSFET的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機(jī)調(diào)試等突出的特點(diǎn)。 此外，采用SD4851設(shè)計(jì)整機(jī)系統(tǒng)，可以省去光耦、次級(jí)反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償，僅需極少的外圍元器件即可構(gòu)成完整的電源系統(tǒng)，大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶(hù)精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)布局，降低開(kāi)發(fā)和制造成本。 小型充電設(shè)備今后的發(fā)展趨勢(shì)是更低的低待機(jī)功耗和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，士蘭微電子將持續(xù)在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，推出新品。預(yù)計(jì)2009年下半年將推出內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)模塊、滿(mǎn)足能源之星2.0版本、LEVEL 5規(guī)格的電路，待機(jī)功耗小于30mW，平均效率達(dá)到70%。 |
