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隨著液晶電視機等需要節(jié)能化的裝置市場逐步擴大，對應用于這些裝置的電源外圍的晶體管等半導體器件也提出了高效率化和削減元器件數量的要求。現在，作為高效率產品的500 to 600V級高耐壓MOSFET，采用傳統平面結構的已經不多，而開關速度快、導通電阻低的超結結構成了主流。但是，超結結構在結構上存在一個需要破解的課題，那就是內部二極管的反向恢復時間 (以下稱為: trr) 長。因此，在應用于有再生電流流過MOSFET的內部二極管的橋接電路等情況時，為了提高高頻隨動性而需要在漏-源極間并聯接入快速恢復二極管(以下稱為: FRD)。 新開發(fā)的F系列為使trr達到高速化，成功地在超結MOSFET的元件內部形成局部的陷阱能級，從而使得trr從160ns縮短為70ns，也就是比 普通的超結結構產品縮短約60%。無需接入FRD就可以應用于橋接電路，這對削減元器件數量、減小基片面積和達到高頻化，使得變壓器等小型化，從而實現 裝置小型化、低成本化有很大的貢獻。 高耐壓功率MOSFET F系列預定從2009年2月開始供應樣品，并于2009年4月開始以月產100萬個的規(guī)模批量生產。按計劃，生產過程的前一段 工序安排在ROHM/阿波羅器件株式會社(福岡縣)、 ROHM筑波株式會社(茨城縣) 進行；后一段工序則將在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰國) 完成。 |
