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Ramtron推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車電子、軍事、游戲和計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域中，作為需電池供電的SRAM的兼容替代產(chǎn)品。 FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，提供超過10年的數(shù)據(jù)保存能力，可消除需電池供電的SRAM (BBSRAM) 帶來的諸如可靠性、功能缺陷和系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。去除了系統(tǒng)中的電池可以簡化生產(chǎn)過程，減少系統(tǒng)維護(hù)，并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)等特點(diǎn) (寫入次數(shù)大約為1014次)，使其優(yōu)于其它類型的存儲(chǔ)器。 FM28V020在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它RAM器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可觸發(fā)讀寫操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以極度適用于需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。 |
