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交流C-V測試可以揭示材料的氧化層厚度，晶圓工藝的界面陷阱密度，摻雜濃度，摻雜分布以及載流子壽命等，通常使用交流C-V測試方式來評估新工藝，材料， 器件以及電路的質量和可靠性等。比如在MOS結構中， C-V測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底 摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電 荷面密度Qfc等參數。 C-V測試要求測試設備滿足寬頻率范圍的需求，同時連線簡單，系統易于搭建，并具備系統補償功能，以補償系統寄生電容引入的誤差。 進行C-V測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般這類測量中使用的交流信號頻率在10KHz到10MHz之間。所加載的 直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。 
在CV特性測試方案中，同時集成了美國吉時利公司源表（SMU）和合作伙伴針對CV測試設計的專用精 密LCR分析儀。源表SMU可以輸出正負電壓，電壓 輸出分辨率高達500nV。同時配備的多款LCR表和 CT8001 直流偏置夾具，可以覆蓋 100Hz~ 1MHz 頻 率和正負200V電壓范圍內的測試范圍。 方案特點： ★包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F （電容-頻率）等多項測試測試功能，C-V測試最 多同時支持測試四條不同頻率下的曲線 ★測試和計算過程由軟件自動執行，能夠顯示數據和 曲線，節省時間 ★提供外置直流偏壓盒，最高偏壓支持到正負200V， 頻率范圍 100Hz - 1MHz。 ★支持使用吉時利24XX/26XX系列源表提供偏壓 測試功能： 電壓-電容掃描測試 頻率-電容掃描測試 電容-時間掃描測試 MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數的計算 原始數據圖形化顯示和保存 MOS電容的 C-V 特性測試方案 系統結構： 系統主要由源表、LCR 表、探針臺和上位機軟件組成。 LCR 表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~ 30MHz。源表 (SMU)負責提供可調直流電壓偏置，通過偏置夾具盒 CT8001加載在待測件上。 LCR 表測試交流阻抗的方式是在 HCUR 端輸出交流電 流，在 LCUR 端測試電流，同時在 HPOT 和 LPOT 端 測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環路同步測量，可 以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數。
典型方案配置：
下表中參數以 PCA1000 LCR 表和 2450 源表組成的 C-V測試系統為例：
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