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IGBT模塊的驅動設計

發布時間:2010-8-3 11:25    發布者:lavida
關鍵詞: IGBT , 驅動設計
1 引言  

近年來,新型功率開關器件IGBT已逐漸被人們所認識。與以前的各種電力電子器件相比,IGBI、具有以下特點:高輸入阻抗,可采用通用低成本的驅動線路;高速開關特性;導通狀態低損耗。IGBT在綜合性能方面占有明顯優勢,廣泛應用于工作頻率為幾十千赫茲,輸出功率為幾千瓦到幾十千瓦的各類電力變換裝置。在設計驅動電路時,主要考慮以下參數:IGBT的額定值、短路電流特性、感性負載的關斷特性、最大柵極發射極電壓、柵極輸入電容、安全工作區特性。  

光電耦合驅動器件的輸入、輸出都是有源的,其正向脈沖及負向閉鎖脈沖的寬度不受限制,可容易地通過檢測IGBT通態集電極電壓實現過流及短路保護,并向微處理器發出過流報警信號。  

2 IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J  

HCPL-316J的主要特征:16引腳雙列直插封裝;可驅動150 A/1 200 V的IGBT;寬電源電壓范圍為15 V~30 V;最大開關時間為0.5μs;死區時間為2μs;兼容CMOS/TTL電平;具有光隔離、故障狀態反饋功能;IGBT“軟”關斷;VCE欠飽和檢測及帶滯環欠壓鎖定保護;用戶可配置自動復位、自動關閉。最小共模抑制15 kV/μs(VCM=1500 V時);具有過流關斷、欠壓封鎖功能;當線路過流或VCC欠壓時可自動閉鎖所有輸出,并發出報警信號;當高側的懸浮偏置電壓源欠壓時,可通過其內部的欠壓自鎖電路將3路高側輸出封鎖。

HCPL-316J具有過流檢測和欠壓閉鎖輸出(under voltage lock-out)功能。過流時,輸出故障信號,IGBT軟關斷;電源電壓范圍為15 V~30 V,在VCM=1 500 V下,最小共模抑制(CMR)電壓為15kV/μs,用戶可設定正/負邏輯輸入、自動復位和自動關斷。  

圖1為HCPL-316J內部結構圖。光耦管LED1組成輸入控制電路,VIN+和VIN-分別為正/負邏輯輸入端。當輸入負邏輯信號時,VIN+置為高電平,VIN-接輸入信號;反之,當輸入正邏輯信號時,則VIN-置為低電平,VIN+接輸入信號。輸入信號門電路由LED1傳送到內部驅動電路并轉換為IGBT的門極驅動信號。光耦管LED2等組成故障信號控制電路,該驅動器7引腳懸空,8引腳接地,VCC1和GND1為輸入側電源,VCC2和VEE為輸出側電源,VC為推挽式輸出三極管集電極的電源可直接與VCC2相接,或者串聯一只電阻RC以限制輸出導通電流,VOUT為門極驅動電壓輸出端?梢栽诒或寗拥墓β势骷^流或門極驅動電路自身電源發生故障時,對被驅動的IGBT進行快速有效地保護。該系列驅動器只需一個非隔離的+15 V電源;具有高dv/dt容量;保護功能完善;故障記憶,通過FAULT信號告知控制系統;上下互鎖,避免同一橋臂兩只IGBT同時開通;柵極電阻外部可調,使用不同功率的IGBT時都能工作在較高的開關頻率下,并得到高轉換效率。  


  
由LED2等組成的故障保護電路,DESAT為過流檢測輸入端,通過串聯電阻和箝位二極管與IGBT集電極相連。正常狀態下,不可能檢測到過流故障,FAULT為低電平,RS觸發器輸出端Q保持低電平,確保輸入信號通過發光二極管LED1,且故障信號輸出FAULT為高電平,復位端RESET對輸入通道不起作用。若DESAT檢測到過流信號(DESAT端電壓超過7 V),則FAULT為高電平。該信號經內部邏輯一方面閉鎖驅動器輸出及LED1的輸入信號,另一方面使LED2導通,RS觸發器輸出端Q為高電平,故障輸出FAULT為低電平,通知外部微機。當IGBT發生過流。驅動器輸出電平下降,使IGBT軟關斷,以避免突然關斷時因產生過壓而導致IGBT損壞。另外,由于故障輸出端FAULT為集電極開路,可實現多個器件的FAULT并聯到微機上。  


  
FAULT發生故障后一直保持低電平,直至RESET輸入復位為低電平信號。  

在利用下臂驅動器驅動比150 A/1 200 V更大的IGBT時,可外接電流緩沖器,以擴大其驅動能力。由圖2的工作時序可知,當DESAT端電壓超過7 V時,產生過流。IGBT下橋臂的驅動電路圖如圖3所示。  


  
圖3中電源+5 V、VB+、VB-(VB+與VB-的電壓均為25 V)為器件提供工作電壓。與16引腳相連的電位符號IGBTBE和IGBT模塊下橋臂的發射極相連,與11引腳相連的IGBTBG1~3分別和下橋臂的門極相接,控制IGBT的導通和關斷。當14引腳DESAT的電壓高于7 V檢測到過流信號或VCC欠壓時,6引腳FAULT為低電平,器件自動閉鎖所有輸出,用于保護IGBT模塊,同時向微處理器發出一個報警信號。  

3 上橋臂驅動器HCPL-3120  

上橋臂驅動HCPL-3120是由磷砷化鎵光耦合器和功率輸出電路組成,其主要特征:8引腳雙列直插封裝;驅動電路的最大輸出電流峰值為2.0 A;最小共模抑制比為15 kV/μs;最大低電平為0.5 V,無需柵極負壓;最大供電電流為5 mA;電源電壓范圍為15 V~30 V;最大開關速度為0.5斗s;具有滯環欠壓鎖定輸出(UVLO)功能。HCPL-3120的內部結構框圖如圖4所示。HCPL-3120輸出電路具有寬限工作電壓范圍,使其易于提供門控器件所需的驅動電壓。它適于額定容量為1 200 V/100 A的IGBT。對于更高容量的IGBT,可外接電流緩沖器,以擴展其驅動能力。上橋臂IGBT驅動電路的原理圖如圖5所示。  


  



  
圖5中。VU+與VU-電壓為25 V,輸出端(Vo)IGBTTG1和IGBT模塊上橋臂中U項的一個門極相連接,IGBTTE1和發射極相連接,從而控制IGBT的導通和關斷。  

4 實驗結果及分析  

圖6是測試時從示波器上獲取的。從圖中看到正向驅動電壓為+16.5 V,負向驅動電壓為-7.5 V;采用此種方式能夠有效、快速地導通和關斷IGBT,減少了導通和關斷過程中的損耗。  


  
5 結束語  

該系統設計在充分利用和滿足IGBT模塊的特點和要求的情況下,著重研究了IGBT的驅動和保護特性,選用了驅動器件HCPL-316J、HCPL-3120對其驅動和保護,滿足了IGBT的導通和關斷動態要求,使IGBT具有較高的可靠性。
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