中國要做存儲芯片！國產半導體能否破繭成蝶？

芯易網

中國是全球最大的半導體市場，但尷尬的是中國并非最先進的半導體研發和制造國，做出一顆中國“芯”，是國內半導體、電子元器件從業人員最大的心愿。

經過幾十年的積累，中國的集成電路產業（IC）已經達到一定的規模，不管是資金還是技術，都有足夠的“底氣”。所以中國開始下定決心要做國產的存儲芯片：并以其作為IDM模式的突破口。這是電子元器件產業發展的趨勢，同時也是國人多年的夙愿。

國產存儲芯片三大勢力集結

吹響“進攻”的號角

國產存儲芯片（IC）目前有三大勢力在集結：一是前不久剛剛宣布投資240億美元，并和中科院微電子所合作的武漢新芯，傳聞武漢新芯已經掌握了9層3D NAND樣品；還有一個是剛以230億美元收購美光科技的清華紫光，它打算以收購兼并后再自行研發的方式進軍儲存芯片；最后一個是福建和合肥這兩個地方政府，其中福建政府已經在找到了在泉州投資的晉華集成電路，準備研發32納米制程的利基型DRAM。

三大勢力一起做國產儲存芯片，實在“百家爭鳴，百花齊放”，然而（IC）芯片的研發涉及太多太多的因素、資金、技術、人才等，任何一個細微的問題，都會影響到最終的研發成果。此外，以中國現有的國力，能否應付多條儲存器生產線/電子元器件還不得而知。

比如，3D NAND的生產線，每1000片就需要近80萬美元，月產能達到20萬片的生產線，則需要160億美元；這里面還不包括三年一次的技術升級投資。想要在半導體制造業收到投資回報，沒有十年以上的時間是根本不可能，然而絕大數的電子元器件投資人都缺乏這個耐心。

最理想的方式就是通過強強聯手，盡量彌補技術的不足，再加上國家的鼎力支持。近期新芯和紫光的合作，正好印證這一點。但是從他們的合作方案來看，有可能會重現“華亞科”事件（缺乏自主能力的一方會受到鉗制）。

國產存儲芯片面對的困難不是一點兩點

想要做出3D NAND閃存芯片，就必須克服兩大難關：技術關和IP及價格戰。從技術層面來說，不管是32層還是48層（IC），都必須做出來且性能成本不能有太懸殊的差距；而IP及價格戰則是在中國市場上都無法避免的（芯易網注）。

3D NAND技術基本上都是采用一體成形制造法，即使用光罩及刻蝕每一層NAND薄膜，直到第八層（共需要27張光罩），這種方法使用最廣，其中最著名的產品就是東芝Bit Cost scalable(BiCS)TFT SONOS。

目前全球市場上最先進的3D NAND工藝水平是20-40納米，除了64層的60：1及70：1腐蝕，其他電子元器件技術均被國外廠商所掌握，紫光和新芯想要突圍，128層是必須突破的瓶頸，只有這樣才能縮小和對手間的差距，為中國芯掙得一點希望。

至于IP戰、人才流失和技術控制，都是未來中國企業都無法避免的，再加上（IC）價格戰，中國的企業在財務方面也將面對沉重的考驗。