|
概述 開(kāi)關(guān)電源和ClassD功放，因?yàn)?a href="http://m.qingdxww.cn/keyword/電路" target="_blank" class="relatedlink">電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，大大降低了電路的功率損耗，在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。由于寄生電感和寄生電容的存在，電路的PWM開(kāi)關(guān)波形在跳變時(shí)，常常伴隨著振鈴現(xiàn)象。這些振鈴常常會(huì)帶來(lái)令人煩惱的EMC問(wèn)題。本文對(duì)振鈴進(jìn)行探討，并采用snubber電路對(duì)PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)上的振鈴進(jìn)行抑制。 振鈴現(xiàn)象 圖1：不同阻尼系數(shù)對(duì)應(yīng)的階躍信號(hào)（從左至右分別為欠阻尼、臨界阻尼、過(guò)阻尼時(shí)對(duì)應(yīng)的階躍信號(hào)） OS（%）定義為過(guò)沖量的幅度跟信號(hào)幅度的比值，以百分比表示。表1列出了不同阻尼系數(shù)對(duì)應(yīng)的過(guò)沖OS（%）。 圖2：過(guò)沖圖示 表1，不同阻尼系數(shù)對(duì)應(yīng)的過(guò)沖OS（%） 振鈴的危害 對(duì)于振鈴，我們直觀感受到的是示波器屏幕上的電壓的波動(dòng)。實(shí)際帶來(lái)問(wèn)題的通常是電路的電流的諧振。在圖三所示的電路里面，當(dāng)PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)V1在0V和12V切換時(shí)，流過(guò)電感L1和電容C1的諧振電流可以達(dá)到安培量級(jí)，如圖四所示。在高頻（圖3所示電路的諧振頻率為232MHz，開(kāi)關(guān)電源和ClassD電路里常見(jiàn)的振鈴頻率在幾十兆到幾百兆Hz之間），安培量級(jí)的電流通過(guò)很小的回路，都可能造成輻射超標(biāo)，使產(chǎn)品無(wú)法通過(guò)EMC認(rèn)證。 圖3：LC諧振電路 圖4：電容C1兩端的電壓和流過(guò)電容C1的諧振電流 避免測(cè)量引入的振鈴 為了提高電路的效率，開(kāi)關(guān)電源和ClassD功放的PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)的上升/下降時(shí)間都比較短，常常在10ns量級(jí)。測(cè)量這樣的快速切換信號(hào)，需要考慮到示波器探頭，特別是探頭的接地線對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。在圖5的測(cè)量方法中，示波器探頭的地線過(guò)長(zhǎng)，跟探頭尖端的探針構(gòu)成很大的回路。捕獲到的信號(hào)出現(xiàn)了很大的振鈴，如圖6所示。 圖5：示波器探頭上長(zhǎng)的地線會(huì)影響PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)的測(cè)量結(jié)果 圖6：圖5測(cè)量方法對(duì)應(yīng)的測(cè)試結(jié)果 為了降低示波器探頭對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，我們?cè)陔娐钒迳虾附訙y(cè)量接地探針，并去除示波器探頭上的地線，如圖7所示。通過(guò)這種方法，我們可以大大降低示波器探頭地線對(duì)測(cè)量引入的振鈴。圖8是使用這種方法捕獲到的PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)的前后沿波形。 圖7：通過(guò)在PCB上焊接接地點(diǎn)改善測(cè)量結(jié)果 圖 8：圖7測(cè)量試方法對(duì)應(yīng)的測(cè)試結(jié)果 開(kāi)關(guān)電源和Class D功放電路中的諧振電路 在開(kāi)關(guān)電源和Class D功放電路中，芯片退耦電容到芯片電源引腳之間的PCB走線，芯片電源引腳到內(nèi)部硅片之間的綁定線可以等效成一個(gè)寄生電感。在功率MOSFET截止時(shí)，功率MOSFET電極之間的電容(Cgs、Cgd、Cds)可等效成一個(gè)寄生電容。如圖9所示。這些寄生電感和寄生電容構(gòu)成了LC諧振電路。圖9中的高端MOSFET導(dǎo)通，低端MOSFET截止時(shí)，可以等效成圖十所示的LC諧振電路。為了提高電路的效率，當(dāng)今芯片內(nèi)部集成的功率MOSFET的RDSQN都做得比較小，常常在幾十毫歐到幾百毫歐之間。這意味著諧振電路的阻尼系數(shù)可能很小。造成的結(jié)果是在PWM開(kāi)關(guān)切換時(shí)，伴隨著比較大的振鈴。 圖9：開(kāi)關(guān)電源和D類(lèi)功放電路里的寄生電感和電容 圖10：圖9中高端MOSFET導(dǎo)通，低端MOSFET截止時(shí)的等效電路 利用Snubber抑制振鈴 上面對(duì)LC諧振電路的振鈴做了介紹。下面介紹利用snubber電路對(duì)振鈴進(jìn)行抑制。如圖十一中虛線框內(nèi)的電路所示，Snubber電路由一個(gè)小阻值的電阻Rsnubber和一個(gè)電容Csnubber串聯(lián)構(gòu)成。其中電阻Rsnubber用來(lái)調(diào)節(jié)LC諧振電路的阻尼系數(shù)。電容Csnubber在振鈴頻率（即LC諧振頻率）處呈現(xiàn)很低的容抗，近似于短路。在PWM開(kāi)關(guān)頻率又呈現(xiàn)出較高的容抗。如果沒(méi)有電容Csnubber的存在，PWM信號(hào)會(huì)一直加在電阻Rsnubber兩端，電阻Rsnubber會(huì)消耗過(guò)多的能量。 下面給Rsnubber選取合適的電阻值，讓PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)能快速穩(wěn)定到終值，而又不產(chǎn)生振鈴（臨界阻尼）。我們以圖11的電路為例。其中L1是電路的寄生電感，C1是電路的寄生電容，Reqv是電路的等效并聯(lián)電阻。 圖11：snubber電路 整理得到： 用snubber改善振鈴實(shí)例 下面以一個(gè)實(shí)例介紹snubber電路元件值的選取。圖12a是一款降壓DC-DC在PWM開(kāi)關(guān)引腳處測(cè)到的波形。在PWM信號(hào)開(kāi)關(guān)時(shí)，伴隨著振鈴現(xiàn)象。通過(guò)示波器測(cè)量到的振鈴頻率為215.5MHz。我們可以構(gòu)建第一個(gè)方程： 為了得到L1和C1的值，我們需要構(gòu)建另外一個(gè)方程。我們給電容C1并聯(lián)一個(gè)小電容：在PWM引腳臨時(shí)對(duì)地焊接一個(gè)56pF的電容。這時(shí)，振鈴頻率變?yōu)?46.2MHz，如圖十二b。據(jù)此，我們構(gòu)建另一個(gè)方程： 圖13：階躍信號(hào)過(guò)沖 電容Csnubber的選擇：Csnubber元件值的選取原則是，在LC諧振頻率（振鈴頻率）處，容抗要遠(yuǎn)小于Rsnubber的阻值。對(duì)PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)，又要呈現(xiàn)出足夠高的容抗。圖14是Csnubber采用560pF的電容，Rsnubber采用18歐姆電阻時(shí)，PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)的前沿波形。對(duì)比圖12a中的波形，振鈴得到了很大的改善。 圖14：加入snubber電路后的PWM前沿波形 Snubber電路的能量消耗 Snubber電路中能量消耗在電阻Rsnubber上，而能量消耗的多少又取決于電容Csnubber的容量，跟電阻Rsnubber的值無(wú)關(guān)。這是因?yàn)镻WM信號(hào)給電容Csnubber充電時(shí)，電路給snubber電路提供的能量為C·V2，而電容只得到了其中的一半(0.5·C·V2)，另一半被Rsnubber消耗掉。改變Rsnubber的電阻值，只是改變了電容充電的速度和Rsnubber消耗能量的速度，而不改變充電一次Rsnubber所消耗的總能量。Csnubber放電時(shí)，電容儲(chǔ)存的能量被Rsnubber消耗。Rsnubber在一個(gè)PWM開(kāi)關(guān)周期的能量消耗為C·V2。Rsnubber功率消耗為： 有些應(yīng)用場(chǎng)合對(duì)電路的效率有很高的要求，對(duì)snubber電路消耗的功率也需要進(jìn)行限制。遇到這種情況，可以適當(dāng)調(diào)整snubber電路的元件值，在PWM信號(hào)的振鈴和功率消耗之間取得平衡。 總結(jié) 我們討論了開(kāi)關(guān)電源和ClassD功放電路里PWM信號(hào)的振鈴現(xiàn)象，振鈴帶來(lái)的危害，振鈴引起的過(guò)沖和電路的阻尼系數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。然后，我們介紹了如何用snubber對(duì)振鈴進(jìn)行抑制。最后，本文通過(guò)一個(gè)實(shí)例介紹了snubber電路里元件值的選取。在介紹過(guò)程中，引入了一些簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式。這些數(shù)學(xué)公式有助于加深我們對(duì)概念的理解。 |
