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利用Snubber電路消除開關(guān)電源和ClassD功放電路中的振鈴

發(fā)布時間:2016-4-6 09:24    發(fā)布者:designapp
概述

開關(guān)電源和ClassD功放,因為電路工作在開關(guān)狀態(tài),大大降低了電路的功率損耗,在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中得到了廣泛的應(yīng)用。由于寄生電感和寄生電容的存在,電路的PWM開關(guān)波形在跳變時,常常伴隨著振鈴現(xiàn)象。這些振鈴常常會帶來令人煩惱的EMC問題。本文對振鈴進行探討,并采用snubber電路對PWM開關(guān)信號上的振鈴進行抑制。

振鈴現(xiàn)象






圖1:不同阻尼系數(shù)對應(yīng)的階躍信號(從左至右分別為欠阻尼、臨界阻尼、過阻尼時對應(yīng)的階躍信號)



OS(%)定義為過沖量的幅度跟信號幅度的比值,以百分比表示。表1列出了不同阻尼系數(shù)對應(yīng)的過沖OS(%)。


圖2:過沖圖示


表1,不同阻尼系數(shù)對應(yīng)的過沖OS(%)

振鈴的危害

對于振鈴,我們直觀感受到的是示波器屏幕上的電壓的波動。實際帶來問題的通常是電路的電流的諧振。在圖三所示的電路里面,當(dāng)PWM開關(guān)信號V1在0V和12V切換時,流過電感L1和電容C1的諧振電流可以達到安培量級,如圖四所示。在高頻(圖3所示電路的諧振頻率為232MHz,開關(guān)電源和ClassD電路里常見的振鈴頻率在幾十兆到幾百兆Hz之間),安培量級的電流通過很小的回路,都可能造成輻射超標,使產(chǎn)品無法通過EMC認證。


圖3:LC諧振電路


圖4:電容C1兩端的電壓和流過電容C1的諧振電流
     

避免測量引入的振鈴

為了提高電路的效率,開關(guān)電源和ClassD功放的PWM開關(guān)信號的上升/下降時間都比較短,常常在10ns量級。測量這樣的快速切換信號,需要考慮到示波器探頭,特別是探頭的接地線對測量結(jié)果的影響。在圖5的測量方法中,示波器探頭的地線過長,跟探頭尖端的探針構(gòu)成很大的回路。捕獲到的信號出現(xiàn)了很大的振鈴,如圖6所示。


圖5:示波器探頭上長的地線會影響PWM開關(guān)信號的測量結(jié)果


圖6:圖5測量方法對應(yīng)的測試結(jié)果

為了降低示波器探頭對測量結(jié)果的影響,我們在電路板上焊接測量接地探針,并去除示波器探頭上的地線,如圖7所示。通過這種方法,我們可以大大降低示波器探頭地線對測量引入的振鈴。圖8是使用這種方法捕獲到的PWM開關(guān)信號的前后沿波形。


圖7:通過在PCB上焊接接地點改善測量結(jié)果


圖 8:圖7測量試方法對應(yīng)的測試結(jié)果

開關(guān)電源和Class D功放電路中的諧振電路

在開關(guān)電源和Class D功放電路中,芯片退耦電容到芯片電源引腳之間的PCB走線,芯片電源引腳到內(nèi)部硅片之間的綁定線可以等效成一個寄生電感。在功率MOSFET截止時,功率MOSFET電極之間的電容(Cgs、Cgd、Cds)可等效成一個寄生電容。如圖9所示。這些寄生電感和寄生電容構(gòu)成了LC諧振電路。圖9中的高端MOSFET導(dǎo)通,低端MOSFET截止時,可以等效成圖十所示的LC諧振電路。為了提高電路的效率,當(dāng)今芯片內(nèi)部集成的功率MOSFET的RDSQN都做得比較小,常常在幾十毫歐到幾百毫歐之間。這意味著諧振電路的阻尼系數(shù)可能很小。造成的結(jié)果是在PWM開關(guān)切換時,伴隨著比較大的振鈴。


圖9:開關(guān)電源和D類功放電路里的寄生電感和電容


圖10:圖9中高端MOSFET導(dǎo)通,低端MOSFET截止時的等效電路        

利用Snubber抑制振鈴

上面對LC諧振電路的振鈴做了介紹。下面介紹利用snubber電路對振鈴進行抑制。如圖十一中虛線框內(nèi)的電路所示,Snubber電路由一個小阻值的電阻Rsnubber和一個電容Csnubber串聯(lián)構(gòu)成。其中電阻Rsnubber用來調(diào)節(jié)LC諧振電路的阻尼系數(shù)。電容Csnubber在振鈴頻率(即LC諧振頻率)處呈現(xiàn)很低的容抗,近似于短路。在PWM開關(guān)頻率又呈現(xiàn)出較高的容抗。如果沒有電容Csnubber的存在,PWM信號會一直加在電阻Rsnubber兩端,電阻Rsnubber會消耗過多的能量。

下面給Rsnubber選取合適的電阻值,讓PWM開關(guān)信號能快速穩(wěn)定到終值,而又不產(chǎn)生振鈴(臨界阻尼)。我們以圖11的電路為例。其中L1是電路的寄生電感,C1是電路的寄生電容,Reqv是電路的等效并聯(lián)電阻。




圖11:snubber電路

整理得到:



用snubber改善振鈴實例

下面以一個實例介紹snubber電路元件值的選取。圖12a是一款降壓DC-DC在PWM開關(guān)引腳處測到的波形。在PWM信號開關(guān)時,伴隨著振鈴現(xiàn)象。通過示波器測量到的振鈴頻率為215.5MHz。我們可以構(gòu)建第一個方程:



為了得到L1和C1的值,我們需要構(gòu)建另外一個方程。我們給電容C1并聯(lián)一個小電容:在PWM引腳臨時對地焊接一個56pF的電容。這時,振鈴頻率變?yōu)?46.2MHz,如圖十二b。據(jù)此,我們構(gòu)建另一個方程:




圖13:階躍信號過沖



電容Csnubber的選擇:Csnubber元件值的選取原則是,在LC諧振頻率(振鈴頻率)處,容抗要遠小于Rsnubber的阻值。對PWM開關(guān)信號,又要呈現(xiàn)出足夠高的容抗。圖14是Csnubber采用560pF的電容,Rsnubber采用18歐姆電阻時,PWM開關(guān)信號的前沿波形。對比圖12a中的波形,振鈴得到了很大的改善。   


圖14:加入snubber電路后的PWM前沿波形

Snubber電路的能量消耗

Snubber電路中能量消耗在電阻Rsnubber上,而能量消耗的多少又取決于電容Csnubber的容量,跟電阻Rsnubber的值無關(guān)。這是因為PWM信號給電容Csnubber充電時,電路給snubber電路提供的能量為C·V2,而電容只得到了其中的一半(0.5·C·V2),另一半被Rsnubber消耗掉。改變Rsnubber的電阻值,只是改變了電容充電的速度和Rsnubber消耗能量的速度,而不改變充電一次Rsnubber所消耗的總能量。Csnubber放電時,電容儲存的能量被Rsnubber消耗。Rsnubber在一個PWM開關(guān)周期的能量消耗為C·V2。Rsnubber功率消耗為:



有些應(yīng)用場合對電路的效率有很高的要求,對snubber電路消耗的功率也需要進行限制。遇到這種情況,可以適當(dāng)調(diào)整snubber電路的元件值,在PWM信號的振鈴和功率消耗之間取得平衡。



總結(jié)

我們討論了開關(guān)電源和ClassD功放電路里PWM信號的振鈴現(xiàn)象,振鈴帶來的危害,振鈴引起的過沖和電路的阻尼系數(shù)的對應(yīng)關(guān)系。然后,我們介紹了如何用snubber對振鈴進行抑制。最后,本文通過一個實例介紹了snubber電路里元件值的選取。在介紹過程中,引入了一些簡單的數(shù)學(xué)公式。這些數(shù)學(xué)公式有助于加深我們對概念的理解。
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