|
為需要采取特殊封裝的非易失性存儲器的關鍵任務應用帶來更大的靈活性 賽普拉斯半導體公司宣布其領先業界的非易失性隨機存取存儲器（(NVRAM）產品組合新增晶圓產品。賽普拉斯的NVRAM產品組合包括鐵電RAM（F-RAM）和非易失性靜態RAM(nvSRAM)，可在斷電時為重要數據提供可靠保護。很多關鍵任務應用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優勢之外，還需要能夠實現小巧、獨特封裝選項的裸片。有關賽普拉斯的NVRAM產品組合的更多信息，敬請訪問：http://www.cypress.com/nonvolatile。 賽普拉斯的F-RAM是業內能效最高的NVRAM技術，具有近乎無限的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導致的數據損壞，因此可為醫療、航天和國防應用提供軟錯誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業內速度最快的NVRAM技術，存取時間低至20 ns。它具有非易失性數據保留功能，而且不需要額外的電池，同時提供無限的耐久性。 賽普拉斯非易失性產品事業部高級主管Sonal Chandrasekharan表示：“為NVRAM產品組合提供晶圓銷售進一步滿足了客戶的廣泛需求，客戶現在可以在滿足具體應用的封裝規格的同時，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優勢。” 關于賽普拉斯的F-RAM 賽普拉斯提供豐富的F-RAM產品線，容量涵蓋4Kb至4Mb，電壓范圍是2.0至5.5伏。賽普拉斯的F-RAM具有近乎無限的100萬億次讀寫壽命，因而理想適合于寫操作密集的應用。F-RAM是業界能效最高的非易失性RAM解決方案；F-RAM單元具有與生俱來的低功耗特點，無需充電泵即可工作。賽普拉斯的F-RAM對于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存儲器的應用來說，是非常理想的選擇。這些應用包括汽車、工業、計算、網絡、智能儀表以及多功能打印機。 關于賽普拉斯的nvSRAM 賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標準的PCB流水線生產。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標準，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM（BBSRAM）產品，提供快速非易失性數據存儲能力。當發生斷電的時候，數據可自動從SRAM傳輸到非易失性單元中。加電之后，數據可從非易失性存儲器中恢復至SRAM。在網絡、工業、計算和RAID應用中，nvSRAM提供了高速數據傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數據的完整性。 供貨情況 即日起，賽普拉斯可為特定客戶的256Kb-4Mb容量F-RAM和1Mb-16Mb容量nvSRAM提供晶圓產品支持。有關晶圓支持的更多信息，請訪問：www.cypress.com/products/f-ram-and-nvsram-wafer-and-die-support。賽普拉斯也可為感興趣的客戶提供針對其它非易失性RAM產品的晶圓支持。如有關于晶圓支持的問題，您可以向此郵箱發送郵件提問：nvramwafersupport@cypress.com。 |
