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原文引用自:飛凌首頁 技術更新 www.witech.com.cn
飛凌OK6410開發板全新升級,標配1G超大容量NandFlash,讓您的使用更加游刃有余。
市面上絕大多數6410開發板仍然只是支持SLC類型的NAND。我們經過努力,實現了MLC NAND的完美支
持。成為同價位開發板中唯一標配1GFlash的產品。包括wince系統在內的驅動軟件經過改寫,并嚴格測
試。使用MLC的NAND可大幅提高容量和產品性價比。
備注:強大的S3C6410處理器支持MLC NANDFLASH,而這個功能在S3C2440上是不支持的。MLC NAND已經得
到廣泛應用,是未來的發展方向。
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以前只是知道FLASH分為NOR和NAND,沒有注意過NAND還分很多種。今天看到飛凌的升級信息,就在
網上查了一下。評論不一,就拿出來和大家討論一下,互相學習了。
Flash閃存是非易失性存儲器,這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后,內部的數據仍
然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盤和MP3中最常用的內存就
是Nand Flash。
Nand Flash也有幾種,根據技術方式,分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC是Single level cell
的縮寫,意為每個存儲單元中只有1bit數據。而MLC就是Multi-Level-Cell,意為該技術允許2 bit的數
據存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit數據。
SLC的技術存儲比較穩定,SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit數據,這樣同樣大小
的晶圓就可以存放更多的數據,也就是成本相同的情況下,容量可以做的更大,這也是同樣容量,MLC價
格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC,MLC的價格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。
區分SLC(停產)和MLC(現在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM )
1、看Flash的型號:根據Flash的命名規則,進行區分。
2、測試讀寫速度:SLC的非常快,MLC的很慢。
SLC閃存:即單層式儲存 (Single Level Cell;SLC),包括三星電子、Hynix、美光(Micron)以及
東芝都是此技術使用者
MLC閃存:多層式儲存(Multi Level Cell;MLC),目前有東芝、Renesas、三星使用,英飛凌
(Infineon)與Saifun Semiconductors合資利用NROM技術所共同開發的多位儲存(Multi Bit Cell;
MBC)。
除了三星,Hynix等其他存儲器制造商也在向MLC閃存邁進。雖然東芝憑借多年的技術積累而在MLC技
術上占據優勢,但英特爾與美光科技的合資企業IM Flash也有能力結合英特爾MLC技術與美光的NAND閃存
,從而在MLC型NAND閃存領域迅猛發展。
MLC閃存技術并非沒有不足,實際上,在采用先進工藝生產MLC閃存方面困難重重。隨著閃存技術的
演進,在浮動柵(floating gate)中存儲的電荷總量減少了,使得檢測存儲的信息變得更加困難,尤其是
對MLC芯片而言,它需要識別四個電壓值,而非兩個。盡管如此,據報道,東芝在70nm工藝中能夠保證采
用與90nm技術相同的代碼糾錯方案。這顯示該公司并沒有放慢MLC技術縮放的步伐,最少是就現在而言。
對于我們消費者而言,最關心的就是產品的質量問題,因此,網上流傳很多說法,好像只有使用SLC
閃存的產品才是質量好的產品,其實不盡然,產品的質量好壞第一個關節是采用的物料的好壞,第二個
關節是廠家是否在生產過程中偷工減料。這兩者都是很重要的。再其次,就是產品的成熟程度,一般剛
推出來的產品一般都會存在一些不為人知的問題,只能靠以后的不斷改進才能使產品日趨完善
隨著MP3、MP4控制芯片的更新換代和軟件控制技術的更新,克服了很多難關,目前對于MLC閃存芯片
的架駑能力已經很成熟了,再加上MLC閃存生產技術的改進,因此目前很多廠家(包括IPOD)都采用MLC
閃存用于消費類數碼產品的生產,尤其是大容量的數碼產品,非它不可!
以上內容摘自 《SLC和MLC閃存nand flsah的區別和歷史》 http://bbs.mydigit.cn/read.php?
tid=110565 |
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