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內(nèi)存大討論:DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM各有何不同?

發(fā)布時(shí)間:2015-8-26 11:16    發(fā)布者:designapp
關(guān)鍵詞: 內(nèi)存 , DDR4 , DDR3 , SDRAM


SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):為同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存,前綴的Synchronous告訴了大家這種內(nèi)存的特性,也就是同步。1996年底,SDRAM開(kāi)始在系統(tǒng)中出現(xiàn),不同于早期的技術(shù),SDRAM是為了與中央處理器的計(jì)時(shí)同步化所設(shè)計(jì),這使得內(nèi)存控制器能夠掌握準(zhǔn)備所要求的數(shù)據(jù)所需的準(zhǔn)確時(shí)鐘周期,因此中央處理器從此不需要延后下一次的數(shù)據(jù)存取。舉例而言,PC66 SDRAM以66 MT/s的傳輸速率運(yùn)作;PC100 SDRAM以100 MT/s的傳輸速率運(yùn)作;PC133 SDRAM以133 MT/s的傳輸速率運(yùn)作,以此類推。

SDRAM亦可稱為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM),Single Data Rate為單倍數(shù)據(jù)傳輸率,SDR SDRAM的核心、I/O、等效頻率皆相同,舉例而言,PC133規(guī)格的內(nèi)存,其核心、I/O、等效頻率都是133MHz。而Single Data Rate意指SDR SDRAM在1個(gè)周期內(nèi)只能讀寫(xiě)1次,若需要同時(shí)寫(xiě)入與讀取,必須等到先前的指令執(zhí)行完畢,才能接著存取。

DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM):為雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存,是新一代的SDRAM技術(shù)。別于SDR(Single Data Rate)單一周期內(nèi)只能讀寫(xiě)1次,DDR的雙倍數(shù)據(jù)傳輸率指的就是單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。在核心頻率不變的情況下,傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。第一代DDR內(nèi)存Prefetch為2bit,是SDR的2倍,運(yùn)作時(shí)I/O會(huì)預(yù)取2bit的資料。舉例而言,此時(shí)DDR內(nèi)存的傳輸速率約為266~400 MT/s不等,像是DDR 266、DDR 400都是這個(gè)時(shí)期的產(chǎn)品。

DDR2 SDRAM(Double Data Rate Two SDRAM):為雙信道兩次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。DDR2內(nèi)存Prefetch又再度提升至4 bit(DDR的兩倍),DDR2的I/O頻率是DDR的2倍,也就是266、333、400MHz。舉例:核心頻率同樣有133~200MHz的顆粒,I/O頻率提升的影響下,此時(shí)的DDR2傳輸速率約為533~800 MT/s不等,也就是常見(jiàn)的DDR2 533、DDR2 800等內(nèi)存規(guī)格。

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。DDR3內(nèi)存Prefetch提升至8 bit,即每次會(huì)存取8 bits為一組的數(shù)據(jù)。DDR3傳輸速率介于 800~1600 MT/s之間。此外,DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V,較DDR2的1.8V更為省電。DDR3也新增ASR(Automatic Self-Refresh)、SRT(Self-Refresh Temperature)等兩種功能,讓內(nèi)存在休眠時(shí)也能夠隨著溫度變化去控制對(duì)內(nèi)存顆粒的充電頻率,以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth SDRAM):DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200 MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank Group具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫(xiě)等動(dòng)作特性,Bank Group 數(shù)據(jù)組可套用多任務(wù)的觀念來(lái)想象,亦可解釋為DDR4 在同一頻率工作周期內(nèi),至多可以處理4 筆數(shù)據(jù),效率明顯好過(guò)于DDR3。 另外DDR4增加了DBI(Data Bus Inversion)、CRC(Cyclic Redundancy Check)、CA parity等功能,讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時(shí)亦能夠增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。

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