在移動通信、汽車電子等領域占據全球最高市場份額的頂尖半導體芯片供應商瑞薩電子(Renesas)日前推出了其第七代具有業界領先性能的650V,150A IGBT產品RJP65S07DWA。受益于第七代技術增強型的薄化晶圓工藝,RJP65S07DWA在傳導、開關損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡,以承受短路情況的發生。因此該產品十分適合高電壓和大電流的應用,如太陽能發電機和工業電機里的功率調節器。此外,該產品可根據用戶需求進行個性化定制。 圖:RJP6系列IGBT 1.5V的飽和電壓帶來更高的效率 相較于上一代產品1.8V的飽和電壓,Renesas基于獨有的超薄晶圓技術使RJP65S07DWA的飽和電壓降至史無前例的1.5V,降幅約17%。飽和電壓反映了IGBT導通時的能量損耗,進一步降低的飽和電壓將器件效率提升至新的高度。 10微秒的高短路耐受力提供無與倫比的可靠性 對于高電壓大電流的設備,器件保護往往是重重之中,Renesas第七代IGBT系列產品RJP65S07DW具有10 μs的額定短路耐受力, 這意味著用于太陽能逆變器的功率調節器等系統會具有更出色的穩定性和強勁的性能。 高速開關 通過優化器件的表面結構,Renesas將器件的反向傳輸電容降低了大約10%。這有助于實現更快的開關頻率,使的更高效的電源轉換器電路成為可能。 RJP65S07DWA的關鍵技術參數如下: • 額定結溫(Tj): +175°C • 集電極-發射極額定電壓(VCES): 650 V • 額定的柵極發射器電壓(VGES): ±30 V • 集電極-發射極飽合電壓 (VCE(sat)): 1.5 V (典型值) • 集電極-發射極閾值電壓 (VGE(OFF)): 5.0 V至6.8 V • 集電極-發射極額定電流: 150 A (Tc = 100°C) 300 A (Tc = 25°C) 1.5V的飽和電壓,10微秒的高短路耐受力以及高速開關讓瑞薩的這款IGBT產品可以更好的幫助研發工程師開發他們的產品,特別的定制服務還能根據客戶的需求提供最適合的產品。如果你想獲取更多的產品信息或申請樣片請聯系世強。 更多信息請訪問:世強(SEKORM)專區 |