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中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)布局初定 武漢新芯當(dāng)領(lǐng)頭羊

發(fā)布時(shí)間:2015-7-2 11:26    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 武漢新芯 , DRAM , 內(nèi)存芯片
根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),2014年中國DRAM消化量已達(dá)47.89億顆(2Gb equiv),總計(jì)102億美元,占全球產(chǎn)能的19.2%。一方面,中國武岳峰資本與賽普拉斯就收購美國半導(dǎo)體公司ISSI斗智斗勇;另一方面,武漢新芯確定統(tǒng)籌中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展,將匯集三大技術(shù)(DRAM、3D NAND、NOR)成為中國重要內(nèi)存芯片基地。

DRAM屬于資本密集產(chǎn)業(yè),光土地、廠房不含設(shè)備,就得耗資20~40億RMB,投產(chǎn)六萬片即超過200億RMB,若要達(dá)到較具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的10萬片產(chǎn)能,就得另外花上400~800億RMB才有辦法做到,僅剩三家(三星、美光、SK海力士)獨(dú)大的DRAM市場(chǎng)。

目前來看,大基金對(duì)啃下了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)這塊硬骨頭的決心非常重,在資金、技術(shù)、人才、IP等方面完成初步布局。

1.與國際大廠談技術(shù)合作:武漢新芯2015年年初正式與Spansion合作,展開3D NAND的技術(shù)開發(fā)。英特爾強(qiáng)勢(shì)主導(dǎo)與DRAM廠的全力配合下,DDR4內(nèi)存將在服務(wù)器領(lǐng)域率先切入。

2.收購美國半導(dǎo)體企業(yè):武岳峰資本收購美國半導(dǎo)體公司ISSI已到最后階段,塵埃將落定。對(duì)國內(nèi)取得IP專利提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力非常重要。

3.挖角臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)人才:中芯國際營運(yùn)長(zhǎng)趙海軍為臺(tái)灣DRAM廠商茂德技術(shù)發(fā)展暨產(chǎn)品本部兼大中華事業(yè)部副總裁。同樣被視為目標(biāo)的還有臺(tái)灣瑞晶團(tuán)隊(duì)與華亞科、南亞科人才。爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄,也在合肥現(xiàn)身力求東山再起。

4.整合國內(nèi)產(chǎn)業(yè)和人才優(yōu)勢(shì):北京已是中國IC重要應(yīng)用市場(chǎng),還有北京、清華大學(xué)以及中科院微電子中心等知識(shí)人才優(yōu)勢(shì);而上海則有已逐步建立起IC產(chǎn)業(yè)鏈的中芯國際;聯(lián)發(fā)科Marvell、君正科技等在內(nèi)的廠商,簽署了14項(xiàng)與25項(xiàng)落戶合肥的合作案;武漢新芯籌建第二座晶圓廠,武漢成為中國內(nèi)存芯片基地。

TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange指出,除了大基金外,中芯國際、湖北省科技投資集團(tuán)、湖北基金、華芯投資等都會(huì)投資,遠(yuǎn)期計(jì)劃要募集到240億美元的規(guī)模,長(zhǎng)期產(chǎn)能目標(biāo)達(dá)每月30萬片,正式展開中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃。

從目前工廠規(guī)模來看,武漢新芯一廠投片已接近滿載水位,現(xiàn)有工廠初期產(chǎn)品以NOR為主。倘若再加上DRAM產(chǎn)能,勢(shì)必將再興建另一座12寸晶圓廠來滿足未來產(chǎn)能的需求。DRAMeXchange預(yù)估,未來武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術(shù)成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)領(lǐng)頭羊,且將至少擁有二座12寸晶圓廠的中國內(nèi)存芯片基地。

DRAM產(chǎn)業(yè)走過了景氣谷底,加上需求的持續(xù)保障,DRAM廠重新開始考慮建廠,從去年下半年開始陸續(xù)啟動(dòng)擴(kuò)建新廠,各家產(chǎn)能競(jìng)賽再起,并穩(wěn)步升級(jí)工藝。今年以來,中國政府積極扶持自有DRAM產(chǎn)業(yè),各項(xiàng)政策與收購動(dòng)作浮上臺(tái)面,攪局這一競(jìng)爭(zhēng)格局相當(dāng)穩(wěn)定的市場(chǎng)。

鹿死誰手還未可知,但對(duì)整個(gè)DRAM 產(chǎn)業(yè)的影響顯而易見。國內(nèi)基金資金充足、內(nèi)需市場(chǎng)龐大、人才梯隊(duì)日益完善,資源裝備優(yōu)良大舉進(jìn)軍DRAM市場(chǎng),攻城拔寨的速度將在未來幾年內(nèi)改變整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的格局。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),從DRAM廠新建到試產(chǎn)需兩年以上的時(shí)間,估計(jì)中國將先切入技術(shù)較容易的 PC DRAM,至于近年成長(zhǎng)快速的 移動(dòng)DRAM 產(chǎn)能要追趕主流大廠,預(yù)估還要5~10年的時(shí)間。

來源:esmchina

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