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根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，2014年中國(guó)DRAM消化量已達(dá)47.89億顆（2Gb equiv），總計(jì)102億美元，占全球產(chǎn)能的19.2%。一方面，中國(guó)武岳峰資本與賽普拉斯就收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體公司ISSI斗智斗勇；另一方面，武漢新芯確定統(tǒng)籌中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展，將匯集三大技術(shù)(DRAM、3D NAND、NOR)成為中國(guó)重要內(nèi)存芯片基地。 DRAM屬于資本密集產(chǎn)業(yè)，光土地、廠房不含設(shè)備，就得耗資20~40億RMB，投產(chǎn)六萬(wàn)片即超過(guò)200億RMB，若要達(dá)到較具經(jīng)濟(jì)規(guī)模的10萬(wàn)片產(chǎn)能，就得另外花上400~800億RMB才有辦法做到，僅剩三家（三星、美光、SK海力士）獨(dú)大的DRAM市場(chǎng)。 目前來(lái)看，大基金對(duì)啃下了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)這塊硬骨頭的決心非常重，在資金、技術(shù)、人才、IP等方面完成初步布局。 1.與國(guó)際大廠談技術(shù)合作：武漢新芯2015年年初正式與Spansion合作，展開(kāi)3D NAND的技術(shù)開(kāi)發(fā)。英特爾強(qiáng)勢(shì)主導(dǎo)與DRAM廠的全力配合下，DDR4內(nèi)存將在服務(wù)器領(lǐng)域率先切入。 2.收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)：武岳峰資本收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體公司ISSI已到最后階段，塵埃將落定。對(duì)國(guó)內(nèi)取得IP專(zhuān)利提升DRAM領(lǐng)域技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力非常重要。 3.挖角臺(tái)灣存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)人才：中芯國(guó)際營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)趙海軍為臺(tái)灣DRAM廠商茂德技術(shù)發(fā)展暨產(chǎn)品本部兼大中華事業(yè)部副總裁。同樣被視為目標(biāo)的還有臺(tái)灣瑞晶團(tuán)隊(duì)與華亞科、南亞科人才。爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，也在合肥現(xiàn)身力求東山再起。 4.整合國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)和人才優(yōu)勢(shì)：北京已是中國(guó)IC重要應(yīng)用市場(chǎng)，還有北京、清華大學(xué)以及中科院微電子中心等知識(shí)人才優(yōu)勢(shì)；而上海則有已逐步建立起IC產(chǎn)業(yè)鏈的中芯國(guó)際；聯(lián)發(fā)科、Marvell、君正科技等在內(nèi)的廠商，簽署了14項(xiàng)與25項(xiàng)落戶(hù)合肥的合作案；武漢新芯籌建第二座晶圓廠，武漢成為中國(guó)內(nèi)存芯片基地。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯國(guó)際、湖北省科技投資集團(tuán)、湖北基金、華芯投資等都會(huì)投資，遠(yuǎn)期計(jì)劃要募集到240億美元的規(guī)模，長(zhǎng)期產(chǎn)能目標(biāo)達(dá)每月30萬(wàn)片，正式展開(kāi)中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計(jì)劃。 從目前工廠規(guī)模來(lái)看，武漢新芯一廠投片已接近滿(mǎn)載水位，現(xiàn)有工廠初期產(chǎn)品以NOR為主。倘若再加上DRAM產(chǎn)能，勢(shì)必將再興建另一座12寸晶圓廠來(lái)滿(mǎn)足未來(lái)產(chǎn)能的需求。DRAMeXchange預(yù)估，未來(lái)武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術(shù)成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)領(lǐng)頭羊，且將至少擁有二座12寸晶圓廠的中國(guó)內(nèi)存芯片基地。 DRAM產(chǎn)業(yè)走過(guò)了景氣谷底，加上需求的持續(xù)保障，DRAM廠重新開(kāi)始考慮建廠，從去年下半年開(kāi)始陸續(xù)啟動(dòng)擴(kuò)建新廠，各家產(chǎn)能競(jìng)賽再起，并穩(wěn)步升級(jí)工藝。今年以來(lái)，中國(guó)政府積極扶持自有DRAM產(chǎn)業(yè)，各項(xiàng)政策與收購(gòu)動(dòng)作浮上臺(tái)面，攪局這一競(jìng)爭(zhēng)格局相當(dāng)穩(wěn)定的市場(chǎng)。 鹿死誰(shuí)手還未可知，但對(duì)整個(gè)DRAM 產(chǎn)業(yè)的影響顯而易見(jiàn)。國(guó)內(nèi)基金資金充足、內(nèi)需市場(chǎng)龐大、人才梯隊(duì)日益完善，資源裝備優(yōu)良大舉進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)，攻城拔寨的速度將在未來(lái)幾年內(nèi)改變整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的格局。 業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，從DRAM廠新建到試產(chǎn)需兩年以上的時(shí)間，估計(jì)中國(guó)將先切入技術(shù)較容易的 PC DRAM，至于近年成長(zhǎng)快速的 移動(dòng)DRAM 產(chǎn)能要追趕主流大廠，預(yù)估還要5~10年的時(shí)間。 來(lái)源：esmchina |
