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器件的高度為2.5 mm，具有高隔離電壓，可用于電機(jī)驅(qū)動、可替代能源和其他高壓應(yīng)用 Vishay 推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小，高度為2.5mm，最小間隙和外部爬電距離為8mm。除了尺寸小的特點(diǎn)，器件還具有高隔離電壓，VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V，非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴(yán)重條件下運(yùn)轉(zhuǎn)，例如電機(jī)驅(qū)動、可替代能源、焊接設(shè)備和其他高工作電壓的應(yīng)用。 
VOL3120的高度比標(biāo)準(zhǔn)DIP封裝的器件低30%，能節(jié)省空間，并實(shí)現(xiàn)類似電磁爐面，以及民用太陽能電池和電機(jī)驅(qū)動中的小尺寸逆變器等扁平外形的應(yīng)用。VOL3120不僅具有優(yōu)異的隔離能力，還具有當(dāng)今最佳的電氣性能。器件的過壓鎖定功能可保護(hù)IGBT/MOSFET，避免出現(xiàn)故障，對共模瞬態(tài)的抑制能力超過48kV/μs，能消除來自PCB上低壓區(qū)域的噪聲。 VOL3120的工作損耗電流最大為2.5mA，在要求高頻工作的電源應(yīng)用里是很實(shí)用的選擇。器件的典型延遲小于250ns，典型上升和下降時(shí)間為100ns，極為適合要求IGBT和MOSFET快速開關(guān)的應(yīng)用。 今天推出的驅(qū)動器可在15V～32V電源電壓和-40℃～+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(MSL)達(dá)到J-STD-020 1級，倉儲壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。 VOL3120現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。 |
