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在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進入10nm制程技術量產新款處理器產品。而另一方面，預期今年第三季進入16nm FinFET制程技術量產階段的臺積電，也傳出將投入大量研發資金確保10nm制程技術發展進度，預期將進一步與三星抗衡，至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進入10nm制程技術量產。 根據kitguru網站報導指出，三星在稍早于舊金山舉辦的國際固態電路大會 (ISSCC)中展示以10nm FinFET制程技術生產的300mm晶圓，顯示未來將能藉此技術量產新款處理器產品。三星方面表示，預計將在2016年年底前以10nm FinFET制程技術量產新款處理器，預期將在處理器尺寸進一步精簡，并且再次降低整體電功耗與散熱表現，估計將可應用在新款Exynos系列處理器，以及新款iPhone使用處理器。 而臺積電方面則是在近期說明16nm FinFET技術趨于穩定，并且可進入量產應用階段，預計今年第三季內將可投入產能。除此之外，為了進一步追趕三星、Intel等競爭對手，臺積電也傳出將投入100億美元資金，藉此確保10nm制程技術發展進度，預期將進一步與三星抗衡，并且協助ARM盡早進入10nm處理器產品發展。 至于Intel方面也確定將在2016年下半年間進入10nm制程技術量產，同時以此技術生產的Cannonlake平臺系列處理器，也將因為Intel制程技術精進而順利在2016年第三季內推出。 來源：經濟日報 |
