Vishay發布11顆采用Gen II超級結技術的新款500V高壓MOSFET

發布時間：2015-1-22 15:20 發布者：eechina

其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優點：高效率和高功率密度

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適合應用在功率不超過500W的開關電源。這些Vishay Siliconix MOSFET具有與E系列600V和650V器件相同的優點極低導通損耗和開關損耗等，可幫助客戶達到更高的性能/效率標準，例如某些高性能消費類產品、照明應用，以及ATX/銀盒PC開關電源所要求的嚴格的80 PLUS轉換效率標準。

今天推出的這些500V MOSFET采用第二代超級結技術制造，為基于標準平面技術的Vishay現有的500V D系列提供了高效率的補充產品。器件的電流從12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低導通電阻和22nC～45nC的超低柵極電荷，這種組合為功率轉換應用提供了十分有利的優值系數(FOM)。

器件的低導通電阻還有助于提高功率密度，同時其更快的開關速度可提高如功率因數校正(PFC)、雙開關正激轉換器和反激式轉換器等典型硬開關拓撲的效率。

器件符合RoHS，可承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，并且保證限值通過100%的UIS測試。

器件規格表：

器件	ID (A) @	RDS(on) (mΩ) @ 10 V	QG (nC) @ 10 V	封裝
器件	25 °C	(最大)	(典型)	封裝
SiHD12N50E	12	380	22	TO-252
SiHP12N50E	12	380	22	TO-220
SiHB12N50E	12	380	22	TO-263
SiHA12N50E	12	380	22	薄引線TO-220 FULLPAK
SiHP15N50E	15	280	30	TO-220
SiHB15N60E	15	280	30	TO-263
SiHA15N50E	15	280	30	薄引線TO-220 FULLPAK
SiHG20N50E	20	190	45	TO-247AC
SiHP20N50E	20	190	45	TO-220
SiHB20N50E	20	190	45	TO-263
SiHA20N50E	20	190	45	薄引線 TO-220 FULLPAK

新的500V功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十六周到十七周。

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