Vishay發布首顆用于軟開關拓撲的雙片600V快速體二極管N溝道MOSFET

發布時間：2014-12-10 10:29 發布者：eechina

Vishay發布600V EF系列快速體二極管N溝道功率MOSFET的兩款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢復電荷和導通電阻，能夠在工業、電信、計算和可再生能源應用中提高可靠性，節約能源。

今天推出的600V快速體二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造，很好地補充了Vishay現有的標準E系列元器件，擴充類似相移橋和LLC轉換器半橋等可用于零電壓開關(ZVS)/軟開關拓撲的產品。

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低10倍以上，可在這些應用中提高可靠性。低反向恢復電荷使器件能夠更快地再次隔離完全擊穿電壓，有助于避免因擊穿和熱過應力而失效。另外，減小Qrr使器件的反向恢復損耗低于標準的MOSFET。

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4種封裝，分別具有123Ω和98Ω的超低導通電阻及柵極電荷，能夠在太陽能逆變器、服務器和通信電源系統、ATX/銀盒PC開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器、半導體生產設備，以及LED和HID照明等高功率、高性能的開關電源應用里實現極低的傳導損耗和開關損耗，從而節約能源。

這些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脈沖，保證極限值100%通過UIS測試。MEOSFET符合RoHS，無鹵素。

器件規格表：

編號	VDS (V)	ID (A) @ 25 °C	RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值)	QG (nC) @ 10 V (典型值)	封裝
編號	(最小值)	ID (A) @ 25 °C	RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值)	QG (nC) @ 10 V (典型值)	封裝
SiHP28N60EF	600	28	123	80	TO-220
SiHB28N60EF	600	28	123	80	TO-263
SiHF28N60EF	600	28	123	80	TO-220F
SiHG28N60EF	600	28	123	80	TO-247AC
SiHP33N60EF	600	33	98	103	TO-220
SiHB33N60EF	600	33	98	103	TO-263
SiHG33N60EF	600	33	98	103	TO-247AC

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