Vishay發布其E系列器件的首顆500V高壓MOSFET

發布時間：2014-10-9 10:55 發布者：eechina

新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同優點，具有高效率和高功率密度

Vishay推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產品、照明應用和ATX/桌面PC機開關電源(SMPS)里將起到節能的重要作用。

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結技術，為采用高性能平面技術的Vishay現有500V D系列器件補充了高效率產品。這些25A器件的導通電阻為145mΩ ，提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和細引線的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產品。

新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導通電阻乘積也較低，該參數是功率轉換應用里MOSFET的優值系數(FOM)。與Vishay的600V和650V E系列器件類似，500V技術具有低導通電阻和優化的開關速度，能夠提高功率因數校正(PFC)、雙開關正激轉換器和反激轉換器應用里的效率和功率密度，

器件符合RoHS，可承受雪崩和開關模式里的高能脈沖，保證極限值通過100% UIS測試。

器件規格表：

器件	ID (A) @	RDS(on) (mΩ) @ 10 V	QG (nC) @ 10 V	封裝
器件	25 °C	(最大值)	(典型值)	封裝
SiHG25N50E	25	145	57	TO-247AC
SiHP25N50E	25	145	57	TO-220
SiHA25N50E	25	145	57	細引線TO-220 FULLPAK

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