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賽普拉斯半導體的鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）產品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設接口（SPI）F-RAM的溫度范圍擴展為-40˚C 至 +105˚C。 新封裝方式可在替代標準的電池供電的SRAM時實現管腳兼容，應用于工業自動化、計算、網絡和汽車電子應用中的關鍵任務系統中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現瞬間數據捕獲，無需電池即可實現長達百年的保存時間。棄用電池可以降低系統成本和復雜性。2 Mb SPI F-RAM擴展溫度范圍則是為了適應很多高性能應用中的嚴苛工作條件。 賽普拉斯非易失性產品事業部高級總監Rainer Hoehler說：“賽普拉斯可提供業界最快、能效最高的非易失性RAM解決方案，并且我們致力于不斷擴充我們的產品線。我們很高興為我們的F-RAM客戶提供這些新的封裝和擴展溫度范圍的產品。” 供貨情況 44-pin TSOPII 封裝的1 Mb并行異步接口F-RAM器件，以及-40˚C 至 +105˚C擴展溫度范圍、8-pin TDFN 封裝的2 Mb SPI F-RAM均將于2014年9月供貨。 |
