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傳三星擠下臺積電獲高通首批14納米FinFET芯片訂單

發(fā)布時間:2014-7-10 16:36    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: FinFET , 14nm , 三星 , 臺積電
業(yè)界消息稱,高通已經(jīng)將首批FinFET(鰭式場效晶體管)芯片訂單下給了三星電子,而不是業(yè)界普遍認(rèn)為的臺積電。三星將使用14納米制程工藝生產(chǎn)FinFET芯片,而臺積電使用的是16納米。消息稱,盡管16納米晶粒(Die)尺寸大于14納米,但臺積電自信可以通過將芯片生產(chǎn)良品率最大化的方式增加產(chǎn)能,進(jìn)而幫助客戶降低生產(chǎn)成本。

盡管高通的策略是與多個代工制造商在28納米或更為成熟的工藝上合作,包括臺積電、三星、Globalfoundries、聯(lián)電、中芯國際,但消息認(rèn)為高通在FinFET產(chǎn)品開發(fā)上沒有嘗試與臺積電合作將承受一定風(fēng)險。FPGA芯片廠商Altera此前曾選擇英特爾開發(fā)14納米FinFET產(chǎn)品,但由于英特爾良品率低被迫將訂單轉(zhuǎn)移給了臺積電。

消息稱,高通主要競爭對手聯(lián)發(fā)科一直與臺積電在28納米和20納米工藝上展開合作,將繼續(xù)使用臺積電的16納米FinFET Plus工藝開發(fā)芯片。

來源:鳳凰科技

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