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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET,提升功率密度

發(fā)布時間:2014-6-26 10:52    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: 功率MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,并采用了DFN1616封裝,有助于在手機、超薄液晶電視及掌上游戲機等受空間限制的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的功率密度。



全新MOSFET的導通電阻在VGS達到4V時低至74 mΩ,可盡量減少導通損耗及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支持2A的連續(xù)電流以及10A的脈沖電流,有效應付直流-直流轉換尖峰。

這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一,旨在滿足負載開關、直流-直流轉換及信號開關占空比的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇,適合消費性電子產(chǎn)品、工業(yè)控制及采暖、通風與空調(diào)設備等多種應用。

如欲了解進一步產(chǎn)品信息,請訪問公司網(wǎng)站www.diodes.com。


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