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新一代功率半導體掌握多個領域節能關鍵

發布時間:2014-1-28 16:56    發布者:eechina
關鍵詞: 功率半導體
最近幾年,在半導體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導體成為了關注的焦點。

功率半導體的作用是轉換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力,用于充電裝置和馬達。如今,這種半導體已配備于家電、汽車、工業機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風電系統等,掌握著節能的關鍵。

三菱電機半導體器件第一事業部營業戰略課長山田正典說“用人體打比方的話,個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦,而功率半導體則相當于肌肉。”

因新興市場國家電力需求增加而受到關注


技術信息供應商美國IHSGlobal預測稱,功率半導體市場將穩定發展。全球市場規模預計在2017年,將從2012年的114億美元擴大到141億美元。其中,新興市場國家的電力需求增加尤為明顯。

美國IHSGlobal日本事務所代表南川明說“以新興市場國家為中心,中產階級正在增加,耗電量越來越大。在2020年,很有可能出現電力供求緊張,發生全球性電力危機。”

有數據顯示,工業機械和家電等的馬達所使用的電力占到了全球耗電量的55%,歐洲和中國已經公布了關于馬達效率的節能標準。

通過使用精密控制馬達轉數的逆變器,可以使耗電量減少了4成左右。日本的工業用和家用空調基本全部配備了逆變器,但從世界范圍來看,普及率只有區區2成。而逆變器的核心部件就是功率半導體。

功率半導體之所以受到關注,原因并不只是全球電力需求的增加,還有一個重要因素是最近3年——4年來,新材料接連投入了實用。

傳統半導體的主要材料是硅。而如今作為新一代功率半導體材料,碳化硅(SIC)和氮化鎵(GaN)備受期待。如果日本國內的功率半導體全部從硅換成碳化硅,按照原油換算,到2020年可節約能源724萬kL。節約的電能相當于7——8座核電站的發電量。

技術與經驗的結晶


從功率半導體的全球份額來看,三菱電機、東芝、瑞薩電子、富士電機等日本企業名列前茅。美國OHSGlobal日本事務所代表南川說“功率半導體領域比的是技術積累,要涉足該領域絕非易事。日本企業榮譽發揮出優勢。”

在以MCU和存儲器等為代表的IC(集成電路)中,微小的電流沿水平方向在晶圓表面高速流動。而功率半導體則是在背面設置電極,沿垂直方向通入大電流。這需要高超的背面加工技術,因而抬高了涉足的門檻。

而且,功率半導體的用途也成為了一道難關。IC主要應用于個人電腦、電視等消費類產品,容易實現同質化(通用品)、低價格化。而功率半導體大多用于公益,需要按照用途和客戶的要求精雕細琢。因此不容易卷入價格競爭。

功率半導體保護整流二極管、功率晶體管、晶閘管。

其中,功率晶體管具有“放大”和“開關”的作用。放大是指低頻功率變為高頻功率,開關是指切換電路的開與關。

充分利用放大作用,就可以使用小功率驅動馬達。切換電路開與關的開關速度越快,越能實現精密控制。

功率晶體管還可以進一步分成三個種類。

首先,雙晶體管是由3個端子組成的半導體,利用輸入電流控制擴大和開關。雖然放大率高,適合處理較大電流,但也存在開關速度慢的缺點。

其次,功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是利用輸入電壓控制動作。耗電量較小,能夠實現高速開關。但處理大電流時損耗大。

最后是IGBT(絕緣柵雙極晶體管),在一個半導體元件(芯片)上集成雙極晶體管和MOSFET而構成。不僅耗電量小,能夠處理大電流。而且可以實現高速開關。

通過大型化降低成本

用來提高功率半導體能源利用效率的是使用新材料的新一代產品。其中有望成為主流的是使用碳化硅的產品。與硅相比,碳化硅能夠耐受大電壓、大電流,大幅削減工作時以熱量形式散發的功率損耗。與硅制產品相比,理論上可減少70%的功率損耗。
三菱電機從1990年代開始研發SiC功率半導體。2010年,該公司使用SiC功率半導體,在全球率先上市了變頻空調。2012年,東京地鐵銀座線的部分車輛也采用了該公司的產品。與過去相比,車輛系統節能高達38.6%。

現在,阻礙普及的因素在于成本。碳化硅結晶需要的時間長,價格是硅的幾倍甚至十幾倍。而且晶圓不易大型化。

2013年10月,三菱電機開發出了世界上最大的使用碳化硅的功率MOSFET,尺寸為1cm見方。面積是過去的5mm見方的4倍。通過大型化,配備芯片的數量減少,從而可以降低成本。

作為功率半導體領域的后起之秀,羅姆也在1990年代著手開發碳化硅的產品,并以2009年收購了德國的碳化硅晶圓企業SiCystal,由此,建立起了從碳化硅晶圓到模塊的一條龍開發、制造體制。

2013年。羅姆開始使用碳化硅量產大口徑的6英寸晶圓。1枚晶圓可以切割的芯片數量是過去的兩倍,提高了生產效率。該公司把功率半導體視為增長的動力之一。碳化硅則是功率半導體的核心。

與碳化硅同樣被看好的還有氮化鎵。氮化鎵具備的有點可舉:比硅更耐受高電壓,可以縮短電極之間的距離;發熱少,耗電量小;開關速度高壓碳化硅。可以支持高頻率,因此能夠使周邊部件小型化。但缺點是不支持大電流、大電壓,只適用于家電等輸出功率較低的電器。

功率半導體市場雖然前景光明,但估計今后競爭將激化。2013年富士通與富士通半導體發布新聞稱,該公司與美國Transphorm公司整合了氮化鎵功率半導體業務,社會為之沸然。富士通的研發團隊和知識產權轉移到Transphorm,富士通半導體則轉變體制,專門承接制造和銷售業務。這在實質上是業務轉讓。

富士通半導體功率器件業務部長淺井祥守說“我們覺得,大批的量產訂單將到來,現在正是做出決斷的時機。”

富士經濟表示,到2020年,新一代功率半導體的全球市場將擴大到1909億日元,約為2012年的25倍。2014年到2015年預計將是全面普及的時期,企業之間的合縱連橫作戰如今已經打響。

來源:大比特

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