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全球半導體業者為了執掌下一代存儲器芯片主導權，競爭逐漸白熱化。 根據日本“日經新聞”（Nikkei）報導，東芝（Toshiba）與韓國SK海力士（SK Hynix Inc.）最快將于2016年年度攜手量產下一代存儲器芯片MRAM（磁性隨機存儲器），量產時間比美國半導體大廠美光科技（Micron Technology US-MU）計劃的2018年提前約2年時間。 東芝與SK海力士正在研發的MRAM，其特征是即使關掉電源，數據也不會消失。與目前廣泛使用于個人電腦、智能手機與其他裝置的DRAM（動態隨機存取存儲器）相比，MRAM資料貯存量是DRAM的10倍，但耗電量卻僅有2/3。 改用MRAM可延長裝置的電池壽命，加快大量數據傳輸速度，例如影音檔案等，并可讓電池與其他零組件實現小型化，將促進穿載式裝置，例如眼鏡型與手表型電腦的開發。 報導指出，東芝與SK海力士于2011年開始攜手開發MRAM，并計劃于2014年會計年度開始提供樣品。樣品將由位于首爾郊外的SK海力士工廠生產。 如果需求可期，2016會計年度將會在韓國啟動量產，東芝與SK海力士還將討論籌組合資公司，打算投入1000億日元（9.4億美元）資金，在日本或南韓開辟專門生產線。 目前競逐MRAM研發的可分為三大陣營，除東芝與SK海力士的日韓聯軍外，美光現正與東京威力科創（Tokyo Electron）等20家左右的美、日半導體業者展開合作，力爭在2018年實現量產。 存儲器龍頭三星電子公司（Samsung Electronics Co.）仍維持自主研發路線，但將積極加強產學合作。 |
