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來(lái)源:工商時(shí)報(bào) 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）昨（4）日公布最新年終預(yù)測(cè)，2013年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)320.2億美元、年減13.3％，惟明（2014）年榮景可期，將出現(xiàn)23.2％的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，臺(tái)灣則連續(xù)第4年蟬聯(lián)全球第一。 臺(tái)積電今年資本支出約達(dá)98億美元，明年可望沖至100億美元以上，至于聯(lián)電、華亞科明年至少也有新臺(tái)幣百億元以上投資規(guī)模，因此臺(tái)灣明年仍是全球半導(dǎo)體設(shè)備支出最大國(guó)。在臺(tái)積電擴(kuò)大采購(gòu)下，包括漢微科、家登、崇越、華立、中砂、辛耘等臺(tái)積概念股可望受惠。 SEMI年終預(yù)測(cè)指出，晶圓制程各類機(jī)臺(tái)仍是貢獻(xiàn)設(shè)備營(yíng)收最高的領(lǐng)域，但去（2013）年預(yù)估減少10.7％、僅達(dá)251億美元；封裝設(shè)備估計(jì)下跌22.1％、達(dá)24億美元；半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)也下滑20.7％、達(dá)28億美元。含晶圓廠設(shè)備、光罩等其它設(shè)備市場(chǎng)則下降25.2％。 至于2014年展望，因臺(tái)積電、三星、英特爾等全球三大半導(dǎo)體廠積極擴(kuò)充20納米以下產(chǎn)能，且包括三星、SK海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)器廠也大動(dòng)作提高NAND Flash產(chǎn)能，所以SEMI預(yù)估明年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)394.6億美元，年成長(zhǎng)率高達(dá)23.2％。 SEMI臺(tái)灣總裁曹世綸表示，半導(dǎo)體設(shè)備資本支出是反應(yīng)重要投資動(dòng)向、產(chǎn)業(yè)景氣循環(huán)周期，以及總體經(jīng)濟(jì)環(huán)境的重要指標(biāo)。SEMI樂(lè)觀預(yù)期，明、后兩年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)力道、特別是臺(tái)灣連續(xù)4年蟬聯(lián)第一的優(yōu)異表現(xiàn)，顯示臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)前景可期。 |
| “因此臺(tái)灣明年仍是全球半導(dǎo)體設(shè)備支出最大國(guó)”，臺(tái)灣什么時(shí)候成國(guó)了，應(yīng)該說(shuō)中國(guó) |
嗯，確實(shí)描述的不太正確，正確的說(shuō)法應(yīng)該是：中華民國(guó)！  |
