新器件適用于商用和軍事、地面和機載、二次監視雷達,以及防撞空中交通管制設備 美高森美公司(Microsemi) 推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)技術的射頻(radio frequency,RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設備中,MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目標應用包括商用二次監視雷達(secondary surveillance radar,SSR),在全球各地用于大約200英里范圍內機場地區和區域中心的飛機詢問和識別。 美高森美公司RF集成解決方案部門副總裁兼總經理David Hall稱:“作為RF解決方案的領導廠商,美高森美的聲望是建立在30年的經驗,杰出的工程技術團隊,以及專注提供突破性能和可靠性限制的新產品方面。從元器件到組件和定制封裝,我們將繼續投資所需的技術和設備,進一步鞏固我們的領先地位,并且為我們的客戶提供更好服務。” 當在1030/1090MHz下工作,MDSGN-750ELMV提供了無與倫比的750 W峰值功率和17分貝(dB)功率增益及典型的70%漏極效率性能,在覆蓋此頻帶的此類單端器件中具有最大的功率。 此外,對于1030MHz地面詢問機和1090MHz機載應答機這兩者,新的RF器件能夠應對嚴苛的商業S模式 (Mode-S)擴展長度信息(Extended Length Message,ELM)脈沖條件,并且可以用于高性能地面輸出級。通過在區域場所中促進共享天氣和飛機空中交通態勢感知信息的溝通,ELM使得空中旅行更安全。在商用空對空(air-to-air)交通警告和防撞系統(collision avoidance systems,TCAS)及敵我識別(Identify Friend or Foe,IFF)系統中,它也是理想選擇,這些系統都是在特定地區中保護飛機所必需的。 關鍵技術特性: • ELM脈沖格式 - 脈沖數量48脈沖: 32 us(通)/ 18 us(斷) 脈沖重復周期: 24毫秒 長期占空比: 6.4% • 出色的輸出 功率: 750 W • 高功率增益: >17.2分貝最小值 • 極好的漏極效率: 70%漏極效率 • 漏極偏壓 - Vdd: +50 V • 擊穿電壓(BVdss) >200V • 低熱阻: 0.24 ℃/W • -40 至 +85℃范圍功率輸出溫度穩定性: < ±0.7分貝 GaN on SIC HEMT器件具有超越替代工藝技術的數項優勢,包括更高的功率性能、節省材料成本(BOM)成本和減少器件占位面積。例如,MDSGN-750ELMV具有如下優勢: • 單端設計采用簡化的阻抗匹配,替代需要額外組合水平的低功率器件。 • 最高的峰值功率和功率增益簡化系統功率級數和末級組合數量 • 單端輸出級對提供帶有余量的1.5 kW峰值輸出功率 • 四個輸出級對組合提供全系統>5 kW的峰值輸出功率 • 50V 偏壓允許使用現有的電源軌,減少DC電流需求 • 極其穩健的性能提升系統良率 • 相比采用硅雙極面結型晶體管(silicon bipolar junction transistors,Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)器件,放大器尺寸減小了50% • 擊穿電壓動態余量比硅雙極型和硅LDMOS器件大得多,并且在更高的結溫下工作,提供更穩健的運行和更長的MTTF。 • 在-55至+85℃范圍的出色溫度穩定性 除了RF元件,美高森美的商用航空產品組合包括:FPGA、TVS二極管、集成標準和定制產品、集成電路、電源調節和管理元件及模塊、專用集成電路(ASIC)、微波器件和元件、高密度內存產品、定制半導體封裝和集成配電系統。 封裝和供貨 美高森美公司提供單端型(single-ended)封裝MDSGN-750ELMV,采用100%高溫鍍金(Au)制造并將導線密封在焊封封裝中,具有長期可靠性。美高森美可為合格客戶提供可出借演示單元,并且在公司網站www.microsemi.com上提供技術數據表。要了解更多的信息,請發送電郵至sales.support@microsemi.com,請在標題欄中注明“GAN RF”。 |