Vishay大幅擴充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族

發布時間：2013-6-4 15:03 發布者：eechina

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30mΩ、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度

Vishay E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級結技術，針對可再生能源、工業、照明、電信、消費和計算市場中對輸入電壓安全裕量有額外要求的應用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標。

今天推出的器件使E系列的器件總數達到26個。所有E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導和開關損耗，可在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體制造設備、適配器和太陽能逆變器等高功率、高性能開關電源中節省能源。

器件針對雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設計，通過100%的UIS測試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。

器件規格表：

編號	V(BR)DSS (V)	ID @ 25C(A)	RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ)	Qg typ @ Vgs = 10V (nC)	封裝	樣品
SiHP6N65E	650	6	600	21	TO220	已發布
SiHF6N65E	650	6	600	21	TO220F	已發布
SiHB6N65E	650	6	600	21	TO263 (D2PAK)	已發布
SiHD6N65E	650	6	600	21	TO252 (DPAK)	已發布
SiHU6N65E	650	6	600	21	TO251 (IPAK)	已發布
SiHP12N65E	650	12	380	33	TO220	可供貨
SiHB12N65E	650	12	380	33	TO263 (D2PAK)	可供貨
SiHF12N65E	650	12	380	33	TO220F	可供貨
SiHP15N65E	650	15	280	44	TO220	已發布
SiHB15N65E	650	15	280	44	TO263 (D2PAK)	已發布
SiHF15N65E	650	15	280	44	TO220F	已發布
SiHP22N65E	650	22	180	65	TO220	已發布
SiHF22N65E	650	22	180	65	TO220F	已發布
SiHB22N65E	650	22	180	65	TO263 (D2PAK)	已發布
SiHG22N65E	650	22	180	65	TO247AC	已發布
SiHP24N65E	650	24	150	83	TO220	已發布
SiHB24N65E	650	24	150	83	TO263 (D2PAK)	已發布
SiHG24N65E	650	24	150	83	TO247AC	已發布
SiHP28N65E	650	28	125	99	TO220	五月
SiHG28N65E	650	28	125	99	TO247AC	五月
SiHW28N65E	650	28	125	99	TO247AD	五月
SiHG47N65E	650	47	70	178	TO247AC	可供貨
SiHW47N65E	650	47	70	178	TO247AD	可供貨
SiHG64N65E	650	65	51	244	TO247AC	五月
SiHW64N65E	650	65	51	244	TO247AD	五月
SiHS105N65E	650	105	30	405	Super TO247	五月

新款功率MOSFET現可提供樣品，量產供貨周期為十六周到十七周。

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