|
LAST POWER 項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導體項目開發成果。以研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術為目標，涉及工業、汽車、消費電子、再生能源轉換系統和電信應用。項目開發成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿。 歐洲納電子計劃顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）是納米工業上市公司與私營企業的聯盟組織，于2010年4月啟動了LAST POWER項目，聚集了寬帶隙半導體（SiC和GaN）領域的私營企業、大學和公共研究中心。該聯盟成員包括項目協調人意法半導體（意大利）、LPE/ETC （意大利）、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR（意大利）、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH（希臘）, NOVASiC（法國）、Consorzio Catania Ricerche -CCR（意大利）、Institute of High Pressure Physics – Unipress（波蘭）、 Università della Calabria（意大利）、SiCrystal（德國）、SEPS Technologies（瑞典）、SenSiC（瑞典）、Acreo（瑞典）、, Aristotle University of Thessaloniki - AUTH（希臘）。 碳化硅主要研發成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底。在晶體結構和表面粗糙度方面，材料質量兼容項目啟動時的標準100mm 4°偏軸材料。在LPE/ETC，這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長，適用于加工600-1200V JBS（結勢壘肖特基）二極管和MOSFET，項目組為在大面積（150mm）4H-SiC上生長外延開發了一個創新的CVD（化學汽相淀積）反應堆。 外延層質量讓意法半導體能夠在工業生產線上制造JBS結勢壘肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進的4°偏軸材料相當。在這種情況下，關鍵工序是在NOVASiC上實現化學機械拋光（CMP） - StepSiC ® 填充和平面化 ，對于外延層生長前的襯底制備和器件活動層表面粗糙度亞納米控制，該工序是一個關鍵問題。在這個項目內，同一企業還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長能力。 項目組與意法半導體、IMM-CNR公司進行SiO2/SiC接口的合作研發，以改進4H-SiC MOSFET晶體管的溝道遷移率。 最后，項目組與Acreo、FORTH合作開發出了用于高溫4H-SiC JFET和 MOSFET的全新技術模塊，為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。 LAST POWER項目還從事在功率電子應用中使用基于GaN器件的研究。特別是意法半導體在150mm Si襯底上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結構的開發取得了成功，外延層長至3µm，抗擊穿電壓能力高達200V。LAST POWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導體合作，采用一種“無金”方法開發常關型 AlGaN/GaN HEMT器件。該制程模塊完全兼容意法半導體生產線要求的芯片制造流程，目前正在整合至HEMT生產線。項目成員在材料生長和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動，讓業界向單片集成GaN和SiC器件的目標邁出重要一步，這兩項技術在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。 |
