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Vishay宣布其2013年“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導(dǎo)體和無(wú)源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，為設(shè)計(jì)工程師提供接觸業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格的捷徑，以及從中管窺Vishay非常廣泛的產(chǎn)品組合。 2013年的Super 12產(chǎn)品是： VCNL3020全集成接近傳感器 — 將一個(gè)紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC組合進(jìn)小尺寸表面貼裝封裝里。傳感器支持易用的I2C總線通信接口，具有中斷功能。 WSBM8518 Power Metal Strip 電池電流采樣電阻 — 采用帶有4pin內(nèi)插連接器的模塑外殼，易于實(shí)現(xiàn)從分流電阻到PCB板的連接。器件具有100µΩ的極低阻值，可提高汽車和工業(yè)應(yīng)用中電池管理的精度。 170 V TMBS Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器 — 這些整流器適用于通信電源，具有10A～80A的電流等級(jí)和0.65V的極低正向壓降，采用TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW功率封裝。 MCW 0406 AT專業(yè)和精密系列寬端頭薄膜片式電阻 — 器件通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，兼具高達(dá)300mW的功率等級(jí)和非常高的精密度，包括±0.1%的公差、±25ppm/K的TCR和低至1Ω的歐姆值，可用于汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品。 TrenchFET Gen IV功率MOSFET — 使用新型高密度設(shè)計(jì)，在10V和4.5V下具有1.0mΩ和1.35mΩ的超低導(dǎo)通電阻，小于0.5的極低Qgd/Qgs比，采用PowerPAK® SO-8、PowerPAK 1212-8和PowerPAIR®封裝。 IHLP-6767GZ-5A IHLP 低高度、大電流電感器 — Vishay的最大IHLP功率電感器。這款器件可在+155℃下連續(xù)工作，1.0μH電感的電流最高可達(dá)53A，可用于汽車應(yīng)用。 eSMP SlimSMA 和SMPD封裝 — 非常適合消費(fèi)、計(jì)算機(jī)、工業(yè)、通信和汽車應(yīng)用，SlimSMA DO-221AC封裝的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器具有0.95mm的超低高度，SMPD封裝器件的典型高度為1.7mm。 LPS 1100功率厚膜電阻 — 對(duì)于風(fēng)電機(jī)組和剎車系統(tǒng)，器件是首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻，在+25℃下的功率等級(jí)達(dá)1100W。 E系列高壓MOSFET -- 600V和650V MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù)，特定導(dǎo)通電阻低30%，改進(jìn)了柵極電荷，采用TO-220 FullPAK、TO-247AC/AD、D2PAK、DPAK、IPAK和PowerPAK 8x8封裝。 T16液鉭電容器 — T16器件采用鉭材料和玻璃到鉭膜的密封，提高了性能，在+ 85℃下的反向電壓為1.5V，采用高可靠性設(shè)計(jì)。 SiP32458/SiP32459由轉(zhuǎn)換速率控制的負(fù)載開關(guān) — 這款高邊負(fù)載開關(guān)采用小型1mm x 1.5mm WCSP封裝，工作電壓為1.5V～5.5V，在3V～5.5V范圍導(dǎo)通電阻穩(wěn)定在20mΩ。 VJ HIFREQ系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC) — 器件采用0402、0603和0805外形尺寸，Q值大于2000，耗散因數(shù)小于0.05 %。 有關(guān)Vishay的Super 12的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com/landingpage/super12/2013/。 |
